[實用新型]全自動氣體置換裝置無效
| 申請號: | 200820046802.6 | 申請日: | 2008-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN201232084Y | 公開(公告)日: | 2009-05-06 |
| 發明(設計)人: | 彭燕豐 | 申請(專利權)人: | 深超光電(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司: | 東莞市中正知識產權事務所 | 代理人: | 侯來旺 |
| 地址: | 518000廣東省深圳市寶安*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 全自動 氣體 置換 裝置 | ||
技術領域
本實用新型主要涉及一種氣體置換裝置,尤其是指一種全自動氣體置換裝置。
背景技術
一般化學汽相沉積法乃利用化學反應的方式在反應腔室內將反應物(通常為氣體)生成固態的生成物,并沉積在晶片表面的一種薄膜沉積技術,而這些反應氣體的能量來源可能為電漿或加熱的方式,抑或利用雷射來裂解氣體分子,當氣體分子產生化學反應,且在重新排列組合成固態物質之后,就可沉積到晶片表面上。
(請參閱圖1)已知技術會將腔室10連接一條氮氣管路12,由于為了降低制程設備的制作成本,腔室10之生產模式所用的氮氣管路12與清潔模式所用的氮氣管路12必須為同一條,不過生產模式與清潔模式所通的氮氣濃度不一樣,一般生產模式要利用濃度較高的氮氣來對晶片表面進行化學氣相沉積技術,而清潔模式僅需利用濃度較低的氮氣對整個腔室10做清潔,另外又用一控制程式控制上述管路,使管路內的氣體配合腔室之生產模式與清潔模式,但是后來在長期使用下發現,制程生產成本逐年增加,減少公司獲利,而且氮氣其實是一種窒息性氣體,當維修人員對腔室進行維修之時,氮氣將會危害到維修人員的健康。
發明內容
本實用新型之主要目的在于,提供一種全自動氣體置換裝置,其系可以減少制程生產的成本。
本實用新型之另一目的在于,提供一種全自動氣體置換裝置,其系可降低維修人員的危險。
為達上述目的,本實用新型提供一種全自動氣體置換裝置,其包含一腔室,其系連接氮氣管路與壓縮空氣管路,氮氣管路將氮氣送入腔室中,以供腔室進行生產模式,而壓縮空氣管路將壓縮空氣送入腔室中,以供腔室進行清潔模式。
本實用新型的有益效果為:提供一種全自動氣體置換裝置,其包含一腔室,其系連接氮氣管路與壓縮空氣管路,氮氣管路將氮氣送入腔室中,以供腔室進行生產模式,而壓縮空氣管路將壓縮空氣送入腔室中,以供腔室進行清潔模式,以達到減少制程生產的成本、降低維修人員的危險的效果。
附圖說明
圖1為背景技術之裝置結構示意圖。
圖2為本實用新型之裝置結構示意圖。
圖3為本實用新型安裝于生產線上之裝置結構示意圖。
圖4為本實用新型之方法流程示意圖
具體實施方式
(請參閱圖2)一種全自動氣體置換裝置,其包含一腔室16,其系連接氮氣管路18與壓縮空氣管路20,氮氣管路18連接氮氣供應源22,并將氮氣送入腔室16中,以供腔室16進行生產模式,而壓縮空氣管路20連接壓縮空供應源24,并將壓縮空氣送入腔室16中,以供腔室16進行清潔模式,其生產模式系將置于腔室16內之半導體基板與氮氣利用化學汽相沉積法在基板上形成一層磊晶層,半導體基板可為P型或N型,而清潔模式系利用壓縮空氣將腔室16內的雜質清除;第一閥門26與第二閥門28系分別設置在氮氣管路18與壓縮空氣管路20上,分別控制氮氣與壓縮空氣是否送入腔室16中,而第一電磁開關30與第二電磁開關32系分別控制第一閥門26與第二閥門28之開放與關閉,另外還有一控制單元,也就是一控制程式,用來控制第一電磁開關30與第二電磁開關32之作動,當腔室16需進行生產模式時,控制單元可控制第一電磁開關30,進而開放第一閥門26,讓氮氣送入腔室16中,同時控制第二電磁開關32,進而關閉第二閥門28,讓壓縮空氣無法送入腔室16中,另當腔室16需進行清潔模式時,控制單元可控制第一電磁開關30,進而關閉第一閥門26,讓氮氣無法送入腔室16中,同時控制第二電磁開關32,進而開放第二閥門28,讓壓縮空氣送入腔室16中;腔室16有連接一抽氣管路36,抽氣管路36可將腔室16中的氣體抽出,在抽氣管路36上并設置一節流閥38與一真空閥40,真空閥40用來控制腔室16內之氣體是否經由抽氣管路36抽出,而節流閥38用來控制抽氣管路36中氣體的流量大小,另在腔室16上亦設置一壓力計34,可用來量測腔室16內之氣體壓力。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





