[實用新型]蔭罩式等離子體顯示器后基板

無效

• 申請號: 200820041177.6
• 申請日: 2008-07-31
• 公開（公告）號: CN201270236Y
• 公開（公告）日: 2009-07-08
• 發明（設計）人: 王曉賓;樊兆雯;張雄;朱立鋒;林青園;王保平
• 申請（專利權）人: 南京華顯高科有限公司
• 主分類號: H01J17/02
• 分類號: H01J17/02;H01J17/16;H01J17/49
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司
• 代理人: 夏 平;瞿網蘭

技術領域

本實用新型涉及一種蔭罩式等離子體顯示板，具體地說是一種蔭罩式等離子體顯示器后基板。

背景技術

一般的障壁式等離子體平板顯示器由前基板和后基板兩部分組成：前基板結構包括前基板玻璃、匯流電極、介質層和覆蓋在介質層上的氧化鎂層，后基板結構包括后基板玻璃、尋址電極、介質層、障壁及覆蓋在障壁側面和介質層上的三基色熒光粉層。前基板上的氧化鎂層用于保護介質層免受放電粒子轟擊和降低屏的工作電壓，后基板上的介質層由于被熒光粉層覆蓋而無需氧化鎂層保護。與之不同，蔭罩式等離子體平板顯示器由前基板、蔭罩、后基板三部分組成，前基板結構與障壁式的前基板結構類似，三基色熒光粉層被涂覆在蔭罩上，這樣后基板結構除了后基板玻璃、尋址電極、介質層外，還要在介質層上覆蓋一層氧化鎂以保護介質。因此，后基板介質層上制作一層氧化鎂層的要求增加了蔭罩式等離子體平板顯示器的制造工序。

目前采用最多的是利用真空鍍膜法制備薄膜氧化鎂層，這種方法制得的氧化鎂層既能保證基板透明性又能保護介質，是障壁式等離子體平板顯示器前基板氧化鎂層的主要制作方法，同樣也適用于蔭罩式等離子體平板顯示器的前后基板氧化鎂層制作。由于蔭罩式等離子體平板顯示器的后基板不需要很好的透明性，所以其后基板的制作存在以下不足之處：①制造工序復雜，不利于產品成品率增加；②由于氧化鎂層采用真空鍍膜法制備，需要價格昂貴的連續真空鍍膜設備，相對于制造障壁式等離子體平板顯示器后基板而言，增加了設備投入和產品制造成本；③真空鍍膜法制得的氧化鎂薄膜易受外界環境影響，對儲存環境有嚴格的要求，增加了產品制造成本。

發明內容

本實用新型的目的針對現有蔭罩式等離子體顯示器后基板制造工藝復雜，成本高的問題，提供一種制造工藝簡單、制造成本更低、產品成品率更高的蔭罩式等離子體顯示器后基板。

本實用新型的技術方案是：

一種蔭罩式等離子體顯示器后基板，它包括后基板玻璃、在后基板玻璃上形成的尋址電極其特征是在所述的后基板玻璃和尋址電極上還通過絲網印刷或刮涂形成有一層兼具介質層和介質保護層功能的后基板介質層，該后基板介質層的主要成份為氧化鎂，氧化鎂的質量百分比為5％-100％；后基板介質層的厚度為15～40微米。

本實用新型的后基板介質層可采用絲網印刷法制備，將氧化鎂粉與粘結劑配制成絲網印刷用漿料后印制于具有電極的后基板玻璃上，再經高溫燒結而成。

本實用新型具有以下優點：

①本實用新型的蔭罩式等離子體顯示板后板結構簡單，制造工序減少，降低了因制造工序復雜引起的產品成品率增加；②本實用新型的后基板介質層采用絲網印刷法制造，不再需要價格昂貴的連續真空鍍膜設備來形成氧化鎂介質保護層，大大降低設備成本投入和產品制造成本；③本實用新型的后基板介質層屬于厚膜，不再像真空鍍膜法形成的氧化鎂薄膜那樣對儲存環境有嚴格的要求，從而降低產品制造成本。

附圖說明

圖1是本實用新型的結構示意圖。

圖中：1為后基板玻璃，2為尋址電極，3為后基板介質層。

具體實施方式

下面結構附圖和實施例對本實用新型作進一步的說明：

實施例1

如圖1所示。

一種蔭罩式等離子體顯示板后基板，由后基板玻璃1、尋址電極2、后基板介質層3三部分組成。

后基板玻璃1是普通的浮法鈉鈣玻璃，也可以是PDP專用的高應變點平板玻璃，如旭硝子生產的PD200玻璃。尋址電極2可用金屬銀電極，電極圖形通過絲網印刷法直接形成圖形或通過光敏銀漿曝光顯影制得圖形，再經燒結而成。后基板介質層3是由純氧化鎂構成的厚膜，膜厚為15～40微米。

具體實施時，后基板介質層3可采用絲網印刷法制備，將氧化鎂粉與粘結劑配制成絲網印刷用漿料后印制于具有尋址電極2的后基板玻璃1上，再經高溫燒結而成。

實施例2

一種蔭罩式等離子體顯示板后基板，由后基板玻璃1、尋址電極2、后基板介質層3三部分組成。后基板玻璃1是普通的浮法鈉鈣玻璃，也可以是PDP專用的高應變點平板玻璃，如旭硝子生產的PD200玻璃。尋址電極2可用金屬銀電極，電極圖形通過絲網印刷法直接形成圖形或通過光敏銀漿曝光顯影制得圖形，再經燒結而成。后基板介質層3是主要由氧化鎂構成的厚膜，氧化鎂的質量百分比為5％-100％，并存在一定的含鉛低熔點玻璃，膜厚為15～40微米。