[實用新型]采用選擇性一次擴散工藝的太陽能電池

無效

• 申請號: 200820038904.3
• 申請日: 2008-07-31
• 公開（公告）號: CN201233896Y
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發明（設計）人: 汪釘崇;鄧偉偉
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務所
• 代理人: 王凌霄

技術領域

本實用新型涉及晶體硅太陽能電池技術領域，特別是一種采用選擇性一次擴散工藝的太陽能電池。

背景技術

太陽能是人類取之不盡、用之不竭的可再生能源，也是清潔能源，不產生任何的環境污染。在太陽能的有效利用當中，大陽能光電利用是近些年來發展最快，最具活力的研究領域。制作太陽能電池主要是以半導體材料為基礎，其工作原理是利用光電材料吸收光能后發生光電轉換。

晶體硅太陽能電池占據了光伏市場的90％以上的份額，如何進一步提高其光電轉換效率，降低成本是國內外晶體硅太陽能電池研究領域的基本目標。

實用新型內容

本實用新型的目的是要提供一種采用選擇性一次擴散工藝的太陽能電池，該太陽能電池具有較高的光電轉換效率。

本實用新型所采用的技術方案為：一種采用選擇性一次擴散工藝的太陽能電池，包括硅片，硅片表面下的高摻雜區和低摻雜區，在高摻雜區上印刷有作為高摻雜擴散磷源的磷漿，在低摻雜區上具有該磷漿中的部分磷通過沉積作用沉積到硅片表面形成的作為低摻雜擴散磷源的沉積磷層。

本實用新型的有益效果是：本太陽電池加工簡單，易實現，污染小，適于產業化生產。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。

圖1是本實用新型的結構示意圖。

圖中：1.硅片，2.高摻雜區，3.低摻雜區，4.磷漿，5.沉積磷層。

具體實施方式

如圖1所示的一種采用選擇性一次擴散工藝的太陽能電池，包括硅片1，硅片1表面下的高摻雜區2和低摻雜區3，在高摻雜區2上印刷有作為高摻雜擴散磷源的磷漿4，在低摻雜區3上具有在擴散過程中揮發到擴散爐中的該磷漿4中的部分磷通過沉積作用沉積到硅片1表面形成的作為低摻雜擴散磷源的沉積磷層5。

本電池的具體加工步驟如下所述：

硅片1表面首先進行清洗制絨處理，然后將磷漿4按照一定間隔選擇性地印刷在硅片1表面，即將磷漿4如電極柵線狀印刷到硅片1表面。烘干磷漿4，然后將此硅片1放入鏈式擴散爐中進行擴散，作為擴散磷源的磷漿4在高摻雜區2形成高摻雜。磷漿4中的部分磷原子在鏈式擴散爐中會揮發到空氣中，最后沉積到磷漿4的非印刷區，沉積到非印刷區的沉積磷層5作為擴散磷源在低摻雜區3形成低摻雜。最后去硅片1表面形成的磷硅玻璃。

硅片1完成選擇性擴散后進行刻邊，鍍氮化硅、減反射膜，印刷背面電極、印刷鋁背場，印刷正面電極，燒結成成品。