[實用新型]PNP型大電流大功率多芯片達林頓晶體管無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200820037516.3 | 申請日: | 2008-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN201210492Y | 公開(公告)日: | 2009-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 龔利汀;錢曉平;龔利貞 | 申請(專利權(quán))人: | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/00 | 分類號: | H01L25/00;H01L25/07;H01L23/488 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標事務(wù)所 | 代理人: | 曹祖良 |
| 地址: | 214028江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | pnp 電流 大功率 芯片 達林頓 晶體管 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種半導(dǎo)體功率晶體管技術(shù),尤其是指一種PNP型大電流大功率多芯片達林頓晶體管。
背景技術(shù)
達林頓大功率晶體管屬半導(dǎo)體功率晶體管范疇,在發(fā)電機、音響、開關(guān)電源、儀器儀表、工業(yè)設(shè)備等國民經(jīng)濟各行業(yè)有著廣泛的應(yīng)用。但國產(chǎn)PNP型達林頓大功率管在制造工藝中,由于受到基礎(chǔ)材料、設(shè)備精度、技術(shù)工藝水平等多方面因素的制約,目前只能生產(chǎn)出10A/150W的PNP型達林頓功率晶體管,而對于50A/300W的特大電流功率的PNP型達林頓管無法制造出來。
通常,金屬封裝的功率晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)為:單只管芯通過裝片燒結(jié)的方式焊接在金屬管座上,然后用鋁絲采用超聲鍵合工藝將管芯的發(fā)射極、基極與管座的引出腳連接起來,最后密封焊接上管帽。根據(jù)晶體管原理可知,功率管的集電極最大允許電流ICM與管芯的設(shè)計版圖和制芯工藝相關(guān),不僅與發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的P-N結(jié)面積有關(guān),而且更與發(fā)射極的周界長短有關(guān)。周界愈長,ICM值就愈大。制芯工藝中,基區(qū)雜質(zhì)濃度和集電區(qū)雜質(zhì)濃度愈高,ICM值就愈大。功率晶體管的集電極最大允許耗散功率PCM與晶體管的工藝結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率、集電結(jié)的結(jié)面積以及管殼結(jié)構(gòu)和散熱裝置有關(guān)。晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)愈易于散熱,各種電極材料和引線材料熱導(dǎo)率愈大,集電結(jié)結(jié)面積愈大,管殼表面積愈大,則PCM值就愈大。即晶體管的PCM值既與管芯的面積大小、制芯工藝、背面金屬化工藝相關(guān),同時也與封裝工藝所采用的金屬管座的銅塊散熱面積大小,以及裝片燒結(jié)的工藝水平相關(guān)。
目前,國內(nèi)生產(chǎn)的PNP型達林頓管最大功率為150W,電流為10A,管芯面積為3.5×3.5(mm)2。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的在于設(shè)計一種PNP型大電流大功率多芯片達林頓晶體管,利用多個PNP型達林頓大功率管芯裝片焊接在特大銅塊的金屬管座上,制造出大電流大功率的PNP型達林頓晶體管。
按照本實用新型提供的技術(shù)方案,在底板上有銅塊,在銅塊上有管芯,在底板上設(shè)置晶體管基極的引出腳和發(fā)射極的引出腳,其特征是:所述管芯至少有3個,每個管芯分別利用內(nèi)引線與晶體管基極的引出腳和發(fā)射極的引出腳連接。
所述管芯有4個或5個或6個。所述引出腳的上下兩端分別伸出底板,所述內(nèi)引線與引出腳的上端連接,所述銅塊位于引出腳上端的周圍,并在銅塊與引出腳的上端之間形成間隙。在底板上設(shè)置用于密封銅塊、管芯、內(nèi)引線及引出腳的管帽。所述引出腳對稱地位于管芯的兩側(cè)。所有管芯的放大倍數(shù)的誤差范圍在5%以內(nèi),并且多個管芯配對裝片在一個管座上。
本實用新型的優(yōu)點是:將多個PNP型達林頓大功率管芯裝片焊接在特大銅塊的金屬管座上。并通過并聯(lián)的方式,即每只管芯3的發(fā)射極和基極分別通過鍵合工藝連接到管座的發(fā)射極引出腳與基極引出腳。這就相當(dāng)于管芯的面積擴大到倍,決定集電極最大允許電流ICM的發(fā)射極周長也增加到4倍,從而使產(chǎn)品的電流ICM和功率PCM擴大了數(shù)倍。
附圖說明
圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)圖。
圖2是圖1中去掉了管帽后的俯視圖。
圖3是傳統(tǒng)的晶體管結(jié)構(gòu)圖。
圖4是圖3中去掉了管帽后的俯視圖。
具體實施方式
圖中:1、底板:金屬管座的底板,是金屬管座的主體部分。用冷軋鋼板材料制成。2、銅塊:金屬管座底板上燒焊的銅塊,起功率管散熱作用。3、管芯:達林頓晶體管管芯。晶體管的主要功能及電性能參數(shù)由管芯參數(shù)體現(xiàn)出來。4、管帽:管帽與裝有管芯的管座通過密封焊接,最終完成產(chǎn)品的組裝。5、引出腳:晶體管的基極、發(fā)射極管腳。材質(zhì)為鐵鎳合金。6、內(nèi)引線:晶體管基極、發(fā)射極內(nèi)部連接線,材質(zhì)為鋁。
如圖1、2所示:在底板1上有銅塊2,在銅塊2上有管芯3,在底板1上設(shè)置晶體管基極的引出腳5和發(fā)射極的引出腳7,所述管芯3至少有3個,每個管芯3分別利用內(nèi)引線6與晶體管基極的引出腳5和發(fā)射極的引出腳7連接。
所述管芯3可以是4個或5個或6個,圖示為4個管芯的結(jié)構(gòu)。所述引出腳5、7的上下兩端分別伸出底板1,所述內(nèi)引線6與引出腳5、7的上端連接,所述銅塊2位于引出腳5、7上端的周圍,并在銅塊2與引出腳5、7的上端之間形成間隙。在底板1上設(shè)置用于密封銅塊2、管芯3、內(nèi)引線6及引出腳5、7的管帽4。所述基極的引出腳5和發(fā)射極的引出腳7對稱地位于管芯3的兩側(cè)。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





