[實用新型]平板氮化硅薄膜PECVD沉積系統

無效

• 申請號: 200820034506.4
• 申請日: 2008-04-29
• 公開（公告）號: CN201195747Y
• 公開（公告）日: 2009-02-18
• 發明（設計）人: 奚建平;周子彬
• 申請（專利權）人: 奚建平
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513
• 代理公司: 蘇州市新蘇專利事務所有限公司
• 代理人: 許鳴石

1.一種平板氮化硅薄膜PECVD沉積系統，包括沉積腔室、射頻引入電極、加熱器及抽氣系統，其特征在于：所述的沉積系統為平板式PECVD沉積系統，沉積腔室為平板式真空腔體，射頻引入平板電極設于真空腔體上蓋的下方，加熱器設于真空腔體外部緊貼下電極的背面。

2.根據權利要求1所述的平板氮化硅薄膜PECVD沉積系統，其特征在于：真空腔體的兩側分別設有錐狀緩沖進氣室和錐狀緩沖抽氣室，錐狀緩沖進氣室和錐狀緩沖抽氣室分別設置有進氣孔和抽氣孔，抽氣孔與抽氣系統連接。

3.根據權利要求2所述的平板氮化硅薄膜PECVD沉積系統，其特征在于：所述的射頻引入電極包括電極板和電極框架，其中電極板上設有排列整齊的大量通氣孔，電極板與電極上蓋設有間隔地安裝于真空腔體上蓋的下面，電極上蓋上面依次復合氟塑料、屏蔽罩和電極框架。

4.根據權利要求1所述的平板氮化硅薄膜PECVD沉積系統，其特征在于：所述的加熱器包括加熱管和一體連接的導溫塊，其中導溫塊表面固定連接于平整的加熱面，導溫塊背面設有絕熱棉并用壓板一體固定。

5.根據權利要求4所述的平板氮化硅薄膜PECVD沉積系統，其特征在于：所述的加熱器上還設有測溫熱電偶。

6.根據權利要求3所述的平板氮化硅薄膜PECVD沉積系統，其特征在于：所述的射頻引入電極上設有導氣管，導氣管一端與緩沖進氣室連接，另一端和電極板與電極上蓋的間隔相連。

7.根據權利要求1所述的平板氮化硅薄膜PECVD沉積系統，其特征在于：所述的射頻引入平板電極可調節地設于真空腔體上蓋的下方。

8.根據權利要求2所述的平板氮化硅薄膜PECVD沉積系統，其特征在于：所述進氣孔和抽氣孔分別設于錐狀緩沖進氣室和錐狀緩沖抽氣室的底部。

9.根據權利要求3所述的平板氮化硅薄膜PECVD沉積系統，其特征在于：所述的電極板與電極上蓋設有間隔并距離可調節地安裝于真空腔體上蓋的下面。