[實用新型]磁控濺射裝置無效
| 申請號： | 200820030258.6 | 申請日： | 2008-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN201250284Y | 公開（公告）日： | 2009-06-03 |
| 發明（設計）人： | 彌謙;杭凌俠;郭忠達;梁海峰;徐均琪;孫國斌;惠迎雪 | 申請（專利權）人： | 西安工業大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 西安新思維專利商標事務所有限公司 | 代理人： | 黃秦芳 |
| 地址： | 710032*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁控濺射 裝置 | ||
【權利要求書】：
1、一種磁控濺射裝置，包括磁體、導磁體(5)、基片(1)和濺射靶(7)，其特征在于：所述磁體的相反磁極相對固定設置在濺射靶(7)的側面，磁體產生的磁約束磁場(2)位于基片(1)和濺射靶(7)之間并且兩磁極連線平行于靶面。
2、根據權利要求1所述的一種磁控濺射裝置，其特征在于：所述磁體為電磁體(4)或永磁體(8)。
3、根據權利要求1或2所述的一種磁控濺射裝置，其特征在于：所述磁體可設置有多對。
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