[實用新型]一種填充式倒梯形微結構高亮度發光二極管

有效

• 申請號: 200820027963.0
• 申請日: 2008-09-09
• 公開（公告）號: CN201307601Y
• 公開（公告）日: 2009-09-09
• 發明（設計）人: 洪靈愿;潘群峰;林雪嬌;陳文欣;吳志強
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 廈門原創專利事務所
• 代理人: 徐東峰

1.一種填充式倒梯形微結構高亮度發光二極管，含永久性襯底和外延片，其特征在于：在正置的外延片上蝕刻出的倒圓錐臺孔的錐壁上及外延片表面上淀積有介質層，介質層和外延片表面上淀積金屬層，金屬層淀積有阻擋層，在阻擋層內壁的空間中金屬濺射填積有金屬填充層；外延片倒置與永久性襯底真空鍵合連接；在永久性襯底部淀積金屬電極，在外延片頂部淀積歐姆接觸電極。

2.如權利要求1所述的一種填充式倒梯形微結構高亮度發光二極管，其特征是：在層狀結構的基板襯底上粘上一層粘貼層，在粘貼層上淀積連接一金屬焊料層構成層疊結構的永久性襯底；外延片依次由第一導電型歐姆接觸層、第一導電型電流擴展層、第一導電型下限制層、非摻雜的有源區、第二導電型上限制層、第二導電型電流擴展層和第二導電型歐姆接觸層層疊連接構成。

3.如權利要求1所述的一種填充式倒梯形微結構高亮度發光二極管，其特征是：所述的金屬填充層截面為倒梯形。