[實用新型]磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器有效
| 申請號： | 200820022995.1 | 申請日： | 2008-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN201213091Y | 公開（公告）日： | 2009-03-25 |
| 發明（設計）人： | 王學才;王珊;李俊英 | 申請（專利權）人： | 王學才 |
| 主分類號： | H01F27/34 | 分類號： | H01F27/34;H01F27/36;H01F27/24;H01F27/28;H01F27/40 |
| 代理公司： | 濟南信達專利事務所有限公司 | 代理人： | 姜 明 |
| 地址： | 250014山東省濟南市歷*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁路 并聯 屏蔽 可控 電抗 | ||
1.磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器，包括鐵芯和繞組，其特征在于鐵芯芯柱截面由不飽和區域鐵芯和飽和區域鐵芯交錯排列組成并聯磁路，通過不飽和區域鐵芯吸收飽和區域鐵芯的漏磁通形成自屏蔽，鐵芯外套裝繞組，繞組是由(L1)-(L6)組成，其中(L1)和(L5)線頭并接，(L4)和(L6)線尾并接，(L1)、(L2)的中間接點接可控硅(4)的陽極形成整流電路，(L3)、(L4)的中間接點接可控硅(5)的陽極形成整流電路，(L2)的尾端、(L6)的首端、(L3)的首端、(L5)的尾端并接續流二極管的負極，可控硅的陰極與續流二極管的正極并接。
2、根據權利要求1所述的磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器，其特征在于：繞組是由3個獨立的繞組(L1)-(L3)組成，其中(L2)的兩端并接可控硅組成整流電路，兩只可控硅的陰極陽極相互并接繞組(L2)首端，可控硅的陰極陽極相互并接的另一端與繞組(L2)的末端接外接電源，繞組(L3)的兩端接一濾波保護回路，鐵芯芯柱的主磁通經過上下鐵軛閉合形成磁回路。
3、根據權利要求1所述的磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器，其特征在于：不飽和區域鐵芯和飽和區域鐵芯沿主磁通方向左右相鄰或前后相鄰交錯排列，飽和區域鐵芯由較小的截面積或導磁率低的導磁材料或氣隙構成。
4、根據權利要求1所述的磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器，其特征在于：在單相電上使用的磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器，采用的單框雙柱式鐵芯結構，芯柱主磁通方向相反，經過上下鐵軛閉合形成磁回路。
5、根據權利要求1所述的磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器，其特征在于：在單相電上使用的磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器，采用的單框雙柱帶旁鐵軛式鐵芯結構，芯柱主磁通方向相同，各自經過旁鐵軛閉合形成磁的回路。
6、根據權利要求1所述的磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器，其特征在于：在三相電上使用的磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器采用的三框六柱式鐵芯結構，芯柱主磁通方向相同，三相磁通矢量合成到上下鐵軛形成磁的回路。
7、根據權利要求1所述的磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器，其特征在于：在三相電上使用的磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器，采用的三框六柱帶旁鐵軛式鐵芯結構，芯柱主磁通方向相同，三相磁通矢量合成到上下鐵軛及旁鐵軛形成磁的回路。
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