[發明專利]內存電源效能提升的方法

無效

• 申請號: 200810306599.6
• 申請日: 2008-12-27
• 公開（公告）號: CN101770275A
• 公開（公告）日: 2010-07-07
• 發明（設計）人: 李俊良
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: G06F1/32
• 分類號: G06F1/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種電源效能提升的方法，特別是指一種內存電源效能提升的方法。

背景技術

目前，服務器中的內存DIMM(Dual?In-line?Memory?Module，雙列直插內存模塊)的數 目越來越多。因此，用于降壓的VRD(Voltage?Regulator?Down，降壓調節器)的輸出設計 也越來越大，并且固定沒有彈性。這樣，每當較少的DIMM安裝在服務器中時，VRD的效率就 變得比較差，亦即浪費了較多的能源。

發明內容

鑒于以上內容，有必要提供一種可提升內存電源效能的方法。

一種內存電源效能提升的方法，包括以下步驟：一內存槽的接地針腳連接一上拉電阻將 其電壓上拉至電源電壓，并連接至一基板管理控制器；當在所述內存槽中安裝內存后，檢測 所述內存槽的接地針腳為一低電平信號，所述基板管理控制器接收到所述低電平信號，當未 在所述內存槽中安裝內存時，檢測所述內存槽的接地針腳為一高電平信號，所述基板管理控 制器接收到所述高電平信號；在所述基板管理控制器接收到相應的高電平信號后，送出命令 給一降壓調節器，所述降壓調節器關閉對所述內存槽的供電。

相較于現有技術，本發明內存電源效能提升的方法中，所述降壓調節器根據命令關閉對 所述內存槽的供電，使得所述降壓調節器的輸出處于最佳效率。

附圖說明

圖1是本發明內存電源效能提升的方法的較佳實施方式的電路圖。

圖2是本發明內存電源效能提升的方法的較佳實施方式的工作流程圖。

具體實施方式

請參閱圖1，本發明內存電源效能提升的方法的較佳實施方式中包括一降壓調節器( VRD)，若干內存DIMM槽(DIMM1，DIMM2，…，DIMM?N)，及一基板管理控制器(Baseboard Management?Controller，BMC)。所述降壓調節器連接若干高端場效應管及控制高端場效應 管開關的驅動器，每一高端場效應管及控制高端場效應管開關的驅動器連接一電感，每一電 感連接至一DIMM槽的電源針腳。每一DIMM槽的接地針腳通過一上拉電阻R連接于所述基板管 理控制器，將電壓上拉至電源電壓。然后通過I2C總線(Inter-Integrated?Circuit，內部 集成電路間總線)連接至所述降壓調節器。每一高端場效應管及控制高端場效應管開關的驅 動器起到開關的作用。

在另一實施方式中，也可以使用一集成有所述基板管理控制器的南橋芯片替代所述基板 管理控制器。一低端場效應管及控制低端場效應管開關的驅動器替代所述高端場效應管及控 制高端場效應管開關的驅動器。一SMBus總線(System?Management?Bus，系統管理總線)替 代所述I2C總線。

請參閱圖2，本發明內存電源效能提升的方法的較佳實施方式的工作原理流程為：

步驟一：每一DIMM槽的接地針腳輸出一安裝信號，并且通過所述上拉電阻上拉至電源電 壓。當在所述DIMM槽上安裝DIMM后，所述安裝信號為一低電平信號，所述基板管理控制器接 收到所述低電平信號，當在所述DIMM槽上沒有安裝DIMM時，所述安裝信號為一高電平信號， 所述基板管理控制器接收到所述高電平信號。

步驟二：將所有安裝信號都通過串行到并行(serial?to?parallel)或者并行( parallel)的方式輸入到所述基板管理控制器中。

步驟三：所述基板管理控制器得到所有的安裝信號，并根據VRD效率曲線，通過I2C總線 或者SMBus總線送出命令給所述降壓調節器，所述降壓調節器將其中未安裝DIMM的高端場效 應管和其驅動器關閉，從而，使所述降壓調節器的輸出處于最佳效率，進而達到提高效能、 減少不必要的耗能的目的。

其中，所述VRD效率曲線是所述降壓調節器根據所述DIMM輸出電流負載而變化的一條曲 線。在輸出電流負載較輕情況下，所述降壓調節器的效率都比較低。所以，只有當所述 DIMM槽中全部安裝DIMM的滿載情況下，所述降壓調節器的輸出處于最佳效率。這樣，當所述 基板管理控制器得到所有的安裝信號后，通過I2C總線或者SMBus總線送出命令給所述降壓調 節器，所述降壓調節器將其中未安裝DIMM的高端場效應管和其驅動器關閉，使得所述DIMM槽 處于相對滿載的情形，根據所述VRD效率曲線，所述降壓調節器的輸出處于最佳效率，進而 達到提高效能、減少不必要的耗能的目的。