[發明專利]寬頻帶抗反射膜及具有該寬頻帶抗反射膜的光學元件

無效

• 申請號: 200810306256.X
• 申請日: 2008-12-15
• 公開（公告）號: CN101750641A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發明（設計）人: 陳冠廷;黃俊翔;葉信宗;張煒修;林光偉;林玫君
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: G02B1/11
• 分類號: G02B1/11
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于光學元件的寬頻帶抗反射膜，其由所述光學元件表面向遠離該光學元件表面的方向依次包括第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層、第五膜層、第六膜層及第七膜層；所述第一膜層、第三膜層、第五膜層及第七膜層為折射率約為2.3-2.5的低折射率材料層，所述第二膜層、第四膜層及第六膜層為折射率約為1.38-1.46的高折射率材料層；所述第一膜層的膜厚約為0.122d-3.052d，第二膜層的膜厚約為0.267d-0.370d，第三膜層的膜厚約為0.427d-0.610d，第四膜層的膜厚約為0.760d-0.924d，第五膜層的膜厚約為0.305d-0.378d，第六膜層的膜厚約為0.575d-0.718d，第七膜層的膜厚約為1.160d-1.342d，其中，d＝λ/(4n)，λ為約450-600nm的入射光波長，n表示對應膜層的折射率。

2.如權利要求1所述的寬頻帶抗反射膜，其特征在于，所述高折射率材料選自五氧化三鈦、二氧化鈦、五氧化二鉭等材料中之一種或幾種的混合。

3.如權利要求1所述的寬頻帶抗反射膜，其特征在于，所述低折射率材料為二氧化硅。

4.如權利要求1所述的寬頻帶抗反射膜，其特征在于，所述第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層、第五膜層、第六膜層及第七膜層的厚度依次約為0.244d、0.348d、0.509d、0.812d、0.366d、0.618d、1.318d。

5.如權利要求1所述的寬頻帶抗反射膜，其特征在于，所述第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層、第五膜層、第六膜層及第七膜層的厚度依次約為2.685d、0.312d、0.506d、0.869d、0.333d、0.657d、1.221d。

6.如權利要求1所述的寬頻帶抗反射膜，其特征在于，所述λ為475nm。

7.一種光學元件，其包括一基材及形成于所述基材至少一表面上的寬頻帶抗反射膜，其特征在于，該寬頻帶抗反射膜由所述基材表面向遠離該基材表面的方向依次包括第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層、第五膜層、第六膜層及第七膜層；所述第一膜層、第三膜層、第五膜層及第七膜層為折射率約為2.3-2.5的低折射率材料層，所述第二膜層、第四膜層及第六膜層為折射率約為1.38-1.46的高折射率材料層；所述第一膜層的膜厚約為0.122d-3.052d，第二膜層的膜厚約為0.267d-0.370d，第三膜層的膜厚約為0.427d-0.610d，第四膜層的膜厚約為0.760d-0.924d，第五膜層的膜厚約為0.305d-0.378d，第六膜層的膜厚約為0.575d-0.718d，第七膜層的膜厚約為1.160d-1.342d，其中，d＝λ/(4n)，λ為約450-600nm的入射光波長，n表示對應膜層的折射率。

8.如權利要求7所述的光學元件，其特征在于，所述第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層、第五膜層、第六膜層及第七膜層的厚度依次約為0.244d、0.348d、0.509d、0.812d、0.366d、0.618d、1.318d。

9.如權利要求7所述的光學元件，其特征在于，所述第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層、第五膜層、第六膜層及第七膜層的厚度依次約為2.685d、0.312d、0.506d、0.869d、0.333d、0.657d、1.221d。

10.如權利要求7所述的光學元件，其特征在于，所述λ為475nm。