[發(fā)明專利]銅核層多層封裝基板的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810305415.4
• 申請日: 2008-11-07
• 公開（公告）號: CN101436551A
• 公開（公告）日: 2009-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林文強;王家忠;陳振重
• 申請（專利權(quán)）人: 鈺橋半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H05K3/46
• 代理公司: 長沙正奇專利事務所有限責任公司
• 代理人: 何 為

技術(shù)領(lǐng)域：

本發(fā)明涉及一種銅核層多層封裝基板的制作方法，尤指一種以銅核基板為基礎(chǔ)，開始制作單面、多層封裝基板的制作方法，于其中，該多層封裝基板的結(jié)構(gòu)包括一具高剛性支撐的銅板，且此銅板的一面具球側(cè)圖案阻障層與增層線路，另一面則無任何圖案。?

背景技術(shù)：

在一般多層封裝基板的制作上，其制作方式通常是由核心基板開始，經(jīng)過鉆孔、電鍍金屬、塞孔及雙面線路制作等方式，完成雙面結(jié)構(gòu)的內(nèi)層核心板，之后再經(jīng)由線路增層制程完成多層封裝基板。如圖23所示，其為一有核層封裝基板的剖面示意圖。首先，準備核心基板60，其中，該核心基板60由具預定厚度的芯層601及形成于此芯層601表面的線路層602所構(gòu)成，且該芯層601中形成有數(shù)個電鍍導通孔603，可藉以連接該芯層601表面的線路層602。?

接著如圖24～圖27所示，對該核心基板60實施線路增層制程。首先，是于該核心基板60表面形成第一介電層61，且該第一介電層61表面形成有數(shù)個第一開口62，以露出該線路層602；之后，以無電電鍍與電鍍等方式于該第一介電層61外露的表面形成晶種層63，并于該晶種層63上形成圖案化阻層64，且其圖案化阻層64中并有數(shù)個第二開口65，以露出部份欲形成圖案化線路的晶種層63；接著，利用電鍍方式于該第二開口65中形成第一圖案化線路層66及數(shù)個導電盲孔67，并使其第一圖案化線路層66得以透過該數(shù)個導電盲孔67與該核心基板60的線路層602做電性導通，然后再進行移除該圖案化阻層64與蝕刻，待完成后形成第一線路增層結(jié)構(gòu)6a。同樣地，該法可于該第一線路增層結(jié)構(gòu)6a的最外層表面再運用相同的方式形成具有第二介電層68及第二圖案化線路層69的第二線路增層結(jié)構(gòu)6b，以逐步增層方式形成多層封裝基板。然而，此種制作方法有布線密度低、層數(shù)多及流程復雜等缺點。?

另外，亦有利用厚銅金屬板當核心材料的方法，可于經(jīng)過蝕刻及塞孔等方式完成一內(nèi)層核心板后，再經(jīng)由線路增層制程以完成多層封裝基板。如圖28～圖30所示，其為另一有核層封裝基板的剖面示意圖。首先，準備核心基板70，該核心基板70為由一具預定厚度的金屬層利用蝕刻與樹脂塞孔701以及鉆孔與電鍍通孔702等方式形成的單層銅核心基板70；之后，利用上述線路增層方式，于該核心基板70表面形成第一介電層71及第一圖案?化線路層72，藉此構(gòu)成第一線路增層結(jié)構(gòu)7a。該法亦與上述方法相同，可再利用一次線路增層方式于該第一線路增層結(jié)構(gòu)7a的最外層表面形成第二介電層73及第二圖案化線路層74，藉此構(gòu)成第二線路增層結(jié)構(gòu)7b，以逐步增層方式形成多層封裝基板。然而，此種制作方法不僅其銅核心基板制作不易，且亦與上述方法相同，具有布線密度低及流程復雜等缺點。故，一般無法符合使用者于實際使用時所需。?

發(fā)明內(nèi)容：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種銅核層多層封裝基板的制作方法，所制造的多層封裝基板，可依實際需求形成具銅核基板支撐的銅核層多層封裝基板，不僅可制作出超薄的封裝結(jié)構(gòu)，并且亦可有效改善超薄核層基板板彎翹問題，簡化傳統(tǒng)增層線路板制作流程及降低成品板厚。?

本發(fā)明的次要目的在于，從銅核基板為基礎(chǔ)，開始制作的單面、多層封裝基板，其結(jié)構(gòu)包括一具高剛性支撐的銅板，且此銅板的一面具球側(cè)圖案阻障層與增層線路，另一面則無任何圖案，于其中，各增層線路及置晶側(cè)與球側(cè)連接方式是以數(shù)個電鍍盲、埋孔所導通。?

本發(fā)明的另一目的在于，具有高密度增層線路以提供電子組件相連時所需的繞線，同時，并以銅板提供足夠的剛性使封裝制程可更為簡易。?

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：一種銅核層多層封裝基板的制作方法，至少包含下列步驟：?

(A)提供銅核基板；?

(B)分別于該銅核基板的第一面上形成第一阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成完全覆蓋狀的第二阻層，于其中，該第一阻層上形成數(shù)個第一開口，并顯露其下該銅核基板的第一面；?

(C)于數(shù)個第一開口中形成數(shù)金屬層，以形成球側(cè)電性接墊；?

(D)移除該第一阻層及該第二阻層；?

(E)于該銅核基板的第一面上形成第一介電層及第一金屬層；?

(F)于該第一金屬層及該第一介電層上形成數(shù)個第二開口，并顯露其下的球側(cè)電性接墊；?

(G)于數(shù)個第二開口中以及該球側(cè)電性接墊與該第一金屬層上形成第二金屬層；?

(H)分別于該第二金屬層上形成第三阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成完全覆蓋狀的第四阻層，于其中，該第三阻層上形成數(shù)個第三開口，并顯露其下的第二金屬層；?