[發(fā)明專利]增層線路板的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810304553.0 | 申請(qǐng)日: | 2008-09-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101677066A | 公開(公告)日: | 2010-03-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林文強(qiáng);王家忠;陳振重 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H05K3/46 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 | 代理人: | 何 為 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣臺(tái)北*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 線路板 制作方法 | ||
1.一種增層線路板的制作方法,至少包含:
A、選擇一包含一第一介電層、一第一金屬層及一第二金屬層的雙面基板;
B、分別于該雙面基板的第一、二金屬層上各形成一第一、二阻層;
C、在該第一阻層上形成數(shù)個(gè)第一開口;
D、移除該第一開口下方的第一金屬層;
E、移除該第一阻層及該第二阻層,形成一具有單面線路電性連接墊的第一線路層;
F、于該第一線路層及該第一介電層上形成一第二介電層及一第三金屬層,形成一電路結(jié)構(gòu)的三層基板;
G、分別于該第二金屬層與該第一介電層上形成數(shù)個(gè)第二開口,顯露其下的第一線路層的第一面,以及于該第三金屬層與該第二介電層上形成數(shù)個(gè)第三開口,顯露該第一線路層的第二面;
H、分別于數(shù)個(gè)第二、三開口中及該第二、三金屬層上各形成一第四、五金屬層;
I、分別于該第四、五金屬層上各形成一第三、四阻層;
J、分別在該第三、四阻層上各形成數(shù)個(gè)第四、五開口;
K、分別移除該第四開口下方的第二金屬層與第四金屬層,以及移除該第五開口下方的第三金屬層與第五金屬層;
L、分別移除該第三阻層,使該第二、四金屬層形成一第二線路層,以及移除該第四阻層,使該第三、五金屬層形成一第三線路層,至此完成一三層具圖案化線路及電性連接的三層基板;再選擇直接進(jìn)行步驟M或步驟N:
M、選擇進(jìn)行一置晶側(cè)與球側(cè)線路層制作;
N、選擇進(jìn)行上、下兩層的線路增層結(jié)構(gòu)制作。
2.如權(quán)利要求1所述的增層線路板的制作方法,其特征在于:所述第一~五金屬層為銅層。
3.如權(quán)利要求1所述的增層線路板的制作方法,其特征在于:所述第一、二介電層為ABF、苯環(huán)丁烯、雙馬來亞酰胺-三氮雜苯樹脂、環(huán)氧樹脂板、聚酰亞胺及聚四氟乙烯其中之一。
4.如權(quán)利要求1所述的增層線路板的制作方法,其特征在于:所述第一~四阻層是以貼合、印刷或旋轉(zhuǎn)涂布所為的干膜或濕膜的高感旋光性光阻。
5.如權(quán)利要求1所述的增層線路板的制作方法,其特征在于:所述數(shù)個(gè)第一、四及五開口以曝光或顯影方式形成。
6.如權(quán)利要求1所述的增層線路板的制作方法,其特征在于:所述第一~五金屬層的移除方法為蝕刻。
7.如權(quán)利要求1所述的增層線路板的制作方法,其特征在于:所述第一~四阻層的移除方法為剝離。
8.如權(quán)利要求1所述的增層線路板的制作方法,其特征在于:所述步驟F是以直接壓合該第二介電層及一第三金屬層于其上或采取貼合該第二介電層后,再形成該第三金屬層。
9.如權(quán)利要求1所述的增層線路板的制作方法,其特征在于:所述數(shù)個(gè)第二、三開口是先做開銅窗后再經(jīng)由激光鉆孔、亦或直接以激光鉆孔的方式形成。
10.如權(quán)利要求1所述的增層線路板的制作方法,其特征在于:所述第四、五金屬層的形成方式為無電電鍍或電鍍。
11.如權(quán)利要求1所述的增層線路板的制作方法,其特征在于:所述步驟M的置晶側(cè)與球側(cè)線路層制作至少包含下列步驟:
m1、分別于該第二、三線路層上各涂覆一第一、二防焊層;
m2、分別于該第一、二防焊層上各形成數(shù)個(gè)第六、七開口,以顯露線路增層結(jié)構(gòu)作為電性連接墊;以及
m3、分別于數(shù)個(gè)第六、七開口上各形成一第一、二阻障層。
12.如權(quán)利要求11所述的增層線路板的制作方法,其特征在于:所述數(shù)個(gè)第六、七開口以曝光或顯影方式形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





