[發(fā)明專利]發(fā)光二極管

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810303373.0
• 申請(qǐng)日: 2008-08-04
• 公開（公告）號(hào): CN101645439A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱源發(fā);江文章
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士邁半導(dǎo)體精密工業(yè)（上海）有限公司;沛鑫半導(dǎo)體工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/075
• 分類號(hào): H01L25/075
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管。

背景技術(shù)

現(xiàn)如今，發(fā)光二極管(Light?Emitting?Diode，LED)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用到很多領(lǐng)域，如何能得到性能更優(yōu)越的發(fā)光二極管已經(jīng)變成人們研發(fā)的方向，在此，一種新型發(fā)光二極管可參見Daniel?A.Steigerwald等人在文獻(xiàn)IEEE?Journal?on?Selected?Topics?in?QuantumElectronics，Vol.8，No.2，March/April?2002中的Illumination?With?Solid?StateLighting?Technology一文。因?yàn)榘l(fā)光二極管具有發(fā)光效率高、演色性佳等特點(diǎn)，所以其開始被人們運(yùn)用在路燈上以利于日常生活所需。

然而，現(xiàn)有的發(fā)光二極管光源射出的白光的色溫值偏高，其通常介于4500~6500K，這樣會(huì)讓人們感覺寒冷且光線刺眼、同時(shí)光源的演色性也僅能達(dá)到80％，這樣的色溫值及演色性還不能達(dá)到人們的要求。現(xiàn)有的發(fā)光二極管通常是通過(guò)在發(fā)光二極管晶粒中加入熒光物質(zhì)以發(fā)出白光，而熒光物質(zhì)的比例在發(fā)光二極管制造完成后即已固定，因此不能在后續(xù)的使用過(guò)程中對(duì)發(fā)光二極管的色溫進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而不利于人們的使用要求。

有鑒于此，提供一種色溫可調(diào)的發(fā)光二極管實(shí)為必要。

發(fā)明內(nèi)容

以下將以實(shí)施例說(shuō)明一種色溫可調(diào)的發(fā)光二極管。

一種發(fā)光二極管，其包括：一個(gè)第一電極，一個(gè)與該第一電極并列設(shè)置且極性相反的第二電極，至少一個(gè)第一發(fā)光芯片，至少一個(gè)第二發(fā)光芯片以及一個(gè)封裝體。該至少一個(gè)第一發(fā)光芯片與該第一電極及該第二電極電性連接以用于射出具有第一波長(zhǎng)的第一光束。該至少一個(gè)第二發(fā)光芯片與該第一電極及該第二電極電性連接以用于射出具有第二波長(zhǎng)的第二光束，該第二波長(zhǎng)的范圍為570~670納米。該封裝體設(shè)置在該第一電極及第二電極上且將該至少一個(gè)第一發(fā)光芯片與該至少一個(gè)第二發(fā)光芯片包覆在其中。該封裝體內(nèi)摻雜有熒光物質(zhì)，該熒光物質(zhì)經(jīng)由該第一光束激發(fā)以產(chǎn)生白光，該第二光束用以調(diào)節(jié)該白光的色溫。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，所述發(fā)光二極管可射出白光及波長(zhǎng)范圍為570~670納米的光，使所述發(fā)光二極管通過(guò)調(diào)節(jié)波長(zhǎng)范圍為570~670納米的光的亮度以實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)所述白光的色溫，從而適當(dāng)?shù)奶岣呷藗兊氖孢m度。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例發(fā)光二極管的截面示意圖。

圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例發(fā)光二極管的截面示意圖。

圖3是本發(fā)明第三實(shí)施例發(fā)光二極管的截面示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。

請(qǐng)參見圖1，本發(fā)明第一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管10，其包括：一個(gè)第一電極11，一個(gè)第二電極12，一個(gè)第一發(fā)光芯片13，一個(gè)第二發(fā)光芯片14及一個(gè)封裝體15。

第一電極11與第二電極12構(gòu)成一導(dǎo)線架(Lead?Frame)，二者并列設(shè)置且極性相反。在本實(shí)施例中，第一電極11為正極，第二電極12為負(fù)極。

第一發(fā)光芯片13與第二發(fā)光芯片14串聯(lián)，第一發(fā)光芯片13與第二發(fā)光芯片14由第一電極11與第二電極12向其提供電能。

第一發(fā)光芯片13用于發(fā)出具有第一波長(zhǎng)的激發(fā)光。第一發(fā)光芯片13包括位于其同一側(cè)的第一接觸電極131及第二接觸電極132，第一發(fā)光芯片13設(shè)置在第一電極11上且其接觸電極131、132相對(duì)遠(yuǎn)離第一電極11。第一發(fā)光芯片13的第一接觸電極131與第一電極11打線連接。

第二發(fā)光芯片14用于射出具有第二波長(zhǎng)的第二光束，第二波長(zhǎng)的范圍為570~670納米。第二發(fā)光芯片14包括第一接觸電極141及第二接觸電極142，二者相對(duì)設(shè)置。第二發(fā)光芯片14的第一接觸電極141與第一發(fā)光芯片13的第一接觸電極131極性相同。第二發(fā)光芯片14設(shè)置在第二電極12上，第二發(fā)光芯片14的第一接觸電極141與第一發(fā)光芯片13的第二接觸電極132打線連接，第二發(fā)光芯片14的第二接觸電極142直接與第二電極12電性連接。

第一發(fā)光芯片13所用材料為III-V族化合物，例如：氮化鋁鎵銦(AlInGaN)等，第二發(fā)光芯片14所用材料為III-V族化合物，例如：磷化鋁鎵銦(AlInGaP)。

可以理解的是，發(fā)光二極管10所包括的第一發(fā)光芯片13及第二發(fā)光芯片14的數(shù)量不限于一個(gè)，其也可為多個(gè)。