[發(fā)明專利]發(fā)光二極管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810302796.0
• 申請日: 2008-07-18
• 公開（公告）號(hào): CN101630710A
• 公開（公告）日: 2010-01-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張家壽
• 申請（專利權(quán)）人: 富準(zhǔn)精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻準(zhǔn)精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，特別是涉及一種發(fā)光二極管的封裝改良結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(Light?Emitting?Diode，LED)具有環(huán)保、亮度高、省電、壽命長等諸多特點(diǎn)，將漸漸成為主要照明光源。然，LED發(fā)出的光線于發(fā)光二極管的封裝體與外界空氣的界面容易發(fā)生全反射，使得發(fā)光二極管出光不均勻。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于此，有必要提供一種出光均勻的發(fā)光二極管。

一種發(fā)光二極管，包括一發(fā)光二極管晶粒以及包覆于該發(fā)光二極管晶粒外圍的一封裝體，該封裝體包括一底面，該封裝體的橫截面面積自該底面向上減少，該封裝體自底面向上分為若干封裝層，該若干封裝層的折射率自底面向上減少。

一種發(fā)光二極管，包括一發(fā)光二極管晶粒以及包覆于該發(fā)光二極管晶粒外圍的一封裝體，該封裝體自靠近發(fā)光二極管晶粒向遠(yuǎn)離發(fā)光二極管晶粒的方向漸縮延伸且劃分成多個(gè)封裝層，該多個(gè)封裝層的折射率自靠近發(fā)光二極管晶粒向遠(yuǎn)離發(fā)光二極管晶粒的方向減少，每一封裝層包括一側(cè)面，每一封裝層的側(cè)面與外界直接接觸。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的封裝體的折射率自下而上漸變，折射率差較少，降低封裝體的全反射，并增加光線從封裝體的側(cè)面出光比例，使得從封裝體射出的光線均勻分布。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的發(fā)光二極管的一較佳實(shí)施例的立體示意圖。

圖2為圖1中沿II-II的剖面示意圖。

圖3為本發(fā)明的發(fā)光二極管的又一較佳實(shí)施例的剖面示意圖。

圖4為本發(fā)明的發(fā)光二極管的另一較佳實(shí)施例的剖面示意圖。

圖5為本發(fā)明的發(fā)光二極管的再一較佳實(shí)施例的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖1及圖2所示，發(fā)光二極管包括一基板1、一發(fā)光二極管晶粒2及一封裝體3。基板1呈圓形板狀，包括上表面11及下表面12，上表面11與下表面12相對設(shè)置，基板1的開設(shè)有第一導(dǎo)電柱131及第二導(dǎo)電柱132，第一導(dǎo)電柱131及第二導(dǎo)電柱132分別貫通基板1的上表面11及下表面12。基板1的上表面11設(shè)有第一內(nèi)電極111及第二內(nèi)電極112，基板1的下表面12設(shè)有第一外電極121及第二外電極122，第一內(nèi)電極111及第一外電極121分別位于第一導(dǎo)電柱131的上下兩端周圍，第一導(dǎo)電柱131將第一外電極121與第一內(nèi)電極111電連接，第二內(nèi)電極112及第二外電極122分別位于第二導(dǎo)電柱132的上下兩端周圍，第二導(dǎo)電柱132將第二外電極122與第二內(nèi)電極112電連接。

發(fā)光二極管晶粒2固設(shè)于基板1的上表面11且位于基板1的中心，發(fā)光二極管晶粒2包括第一電極21及第二電極22，第一電極21與基板1的第一內(nèi)電極111電連接，第二電極22與基板1的第二內(nèi)電極112電連接。

封裝體3由透光材料制成，如環(huán)氧樹脂、硅膠、壓克力等。該封裝體3包覆于發(fā)光二極管晶粒2的外圍。該封裝體3整體呈正圓臺(tái)狀，包括一底面31、一頂面32及一側(cè)面33，頂面32與底面31相對設(shè)置，側(cè)面33連接于頂面32與底面31之間，封裝體3的橫截面面積自底面31向上減少，側(cè)面33由底面31的外緣向上且向內(nèi)傾斜漸縮延伸而成，即該封裝體3自靠近發(fā)光二極管晶粒2向遠(yuǎn)離發(fā)光二極管晶粒2的方向漸縮延伸。封裝體3的底面31平貼于基板1的上表面11，封裝體3的頂面32設(shè)置若干微結(jié)構(gòu)，使得頂面32凹凸不平，進(jìn)而使得頂面32出光均勻。該微結(jié)構(gòu)為密集排布的凸起321，凸起321由封裝體3的頂面32向外突出而成。該封裝體3自底面31向上即自靠近發(fā)光二極管晶粒2向遠(yuǎn)離發(fā)光二極管晶粒2的方向依次分為第一封裝層34、第二封裝層35及第三封裝層36，第一封裝層34平貼于基板1的上表面11上，第二封裝層35平貼于第一封裝層34上，第三封裝層36平貼于第二封裝層35上，相鄰封裝層的側(cè)面上下相連，所有封裝層34、35、36的側(cè)面共同構(gòu)成封裝體3的側(cè)面33，封裝層34、35、36的側(cè)面與外界直接接觸，第一封裝層34的折射率大于第二封裝層35的折射率，第二封裝層35的折射率大于第三封裝層36的折射率，即各封裝層34、35、36的折射率自底面31向上即自靠近發(fā)光二極管晶粒2向遠(yuǎn)離發(fā)光二極管晶粒2的方向依次減少。可通過向每一封裝層34、35、36參雜不同濃度的高折射率納米粒子以改變各封裝層34、35、36的折射率，納米粒子可為氧化鈦、氧化鉭及氧化硅等。亦可通過向封裝層34、35、36參雜不同濃度的分子團(tuán)以改變各封裝層34、35、36的折射率，分子團(tuán)可為酚類等。