[發(fā)明專利]發(fā)光二極管無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810301320.5 | 申請日: | 2008-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN101567366A | 公開(公告)日: | 2009-10-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張忠民;陳東安;王君偉 | 申請(專利權(quán))人: | 展晶科技(深圳)有限公司;先進(jìn)開發(fā)光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/00 | 分類號: | H01L25/00;H01L25/075 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518033廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 | ||
1.一種發(fā)光二極管,其包括一基板、多個發(fā)光二極管晶粒以及一封 裝體,該多個發(fā)光二極管晶粒設(shè)置在該基板上,其特征在于:該發(fā)光二極管還包括一設(shè)置在 基板上的混光裝置,該混光裝置環(huán)繞該多個發(fā)光二極管晶粒設(shè)置,該封裝體設(shè)置在該基板上 并包覆該混光裝置及多個發(fā)光二極管晶粒,該混光裝置由透光材料制成,且該混光裝置內(nèi)摻 雜有散射粒子。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于,該混光裝置包括朝 向該多個發(fā)光二極管晶粒的一內(nèi)壁,且該內(nèi)壁為階梯狀表面。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于,該混光裝置包括朝 向該多個發(fā)光二極管晶粒的一內(nèi)壁,該內(nèi)壁為具有單一曲率半徑的曲面,或者由多個曲率半 徑不同的曲面相連而成的幾何面。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于,該透光材料為玻璃 、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、硅樹脂或環(huán)氧樹脂。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于,該發(fā)光二極管包括 三個發(fā)光二極管晶粒,該三個發(fā)光二極管晶粒分別為紅光發(fā)光二極管晶粒、綠光發(fā)光二極管 晶粒及藍(lán)光發(fā)光二極管晶粒。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于,該發(fā)光二極管晶粒 通過覆晶封裝設(shè)置在基板上。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于,該散射粒子的折射 率位于1.1至2.4之間。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于,該散射粒子的材質(zhì) 為二氧化鈦、熔煉石英、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、氧化鋁、氧化鎂、硅鋁氧氮聚合材 料或透明氧氮化物。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于,該散射粒子的折射 率與混光裝置的折射率不同。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于,該封裝體的遠(yuǎn)離 基板的表面為沿遠(yuǎn)離基板方向凸起的曲面、或朝向基板方向凹陷的曲面。
11.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于,該混光裝置包括 朝向該多個發(fā)光二極管晶粒的內(nèi)壁,以及與該內(nèi)壁相對設(shè)置且遠(yuǎn)離所述多個發(fā)光二極管的外 壁,該外壁上設(shè)置有反射層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





