[發明專利]LED光源裝置

無效

• 申請號: 200810301150.0
• 申請日: 2008-04-16
• 公開（公告）號: CN101561104A
• 公開（公告）日: 2009-10-21
• 發明（設計）人: 陳杰良
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: F21S9/03
• 分類號: F21S9/03;F21V23/00;H02J7/00;F21Y101/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種LED光源裝置，其包括：一個LED發光元件，該LED發光元件用于發光，其特征在于：所述LED光源裝置還進一步包括：一個太陽能電池單元及一可充電電池單元，所述太陽能電池單元用于產生電能，所述可充電電池單元用于存儲所述太陽能電池單元產生的電能，并將該存儲的電能提供給所述LED發光元件使其發光。

2.如權利要求1所述的LED光源裝置，其特征在于：所述LED光源裝置進一步包括一充放電控制器，所述充放電控制在充電模式下用于精準控制所述可充電電池單元充電，在放電模式下用于控制所述LED發光元件的亮度。

3.如權利要求2所述的LED光源裝置，其特征在于：所述充放電控制器包括一個第一DC/DC轉換器、一個第二DC/DC轉換器、一個脈寬調制控制器，所述太陽能電池單元與可充電電池單元之間通過所述第一DC/DC轉換器電連接，所述可充電電池單元與所述LED發光元件之間通過所述第二DC/DC轉換器電連接。

4.如權利要求1所述的LED光源裝置，其特征在于：所述太陽能電池單元包括一個基板、一層背電極、一層P型半導體層、一層P-N結層、一層N型半導體層、一層透明導電層、及一層前電極，所述基板包括一個承載面，所述背電極形成該基板的承載面上，所述P型半導體層形成在該背電極上，所述P-N結層形成在該P型半導體層上所述N型半導體層形成在該P-N結層上，所述透明導電層形成在該N型半導體層上。

5.如權利要求4所述的LED光源裝置，其特征在于：所述基板由可撓曲的材料做成。

6.如權利要求5所述的LED光源裝置，其特征在于：所述基板的材料為鋁鎂合金箔、不銹鋼片，或聚合物薄板。

7.如權利要求4所述的LED光源裝置，其特征在于：所述背電極的材料是銀、銅、鉬、鋁、銅鋁合金、銀銅合金或者銅鉬合金。

8.如權利要求4所述的LED光源裝置，其特征在于：所述P型半導體層的材料是P型非晶硅、氮化鋁鎵或者砷化鋁鎵。

9.如權利要求4所述的LED光源裝置，其特征在于：所述P-N結層的材料是銅銦鎵硒、碲化鎘或者銅銦硒。

10.如權利要求4所述的LED光源裝置，其特征在于：所述N型半導體層的材料是N型非晶硅、氮化鉀或者磷化銦鎵。

11.如權利要求4所述的LED光源裝置，其特征在于：所述透明導電層的材料是銦錫氧化層或者氧化鋅。