[發(fā)明專(zhuān)利]用于壓印制程的模仁制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810300007.X
• 申請(qǐng)日: 2008-01-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101477305A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 駱世平
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F7/00
• 分類(lèi)號(hào): G03F7/00;G03F7/40;G03F7/38
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種用于壓印制程的模仁制造方法，其包括以下步驟：

提供一透光基底，所述透光基底具有相對(duì)的第一表面及第二表面，所述 第一表面及第二表面上均無(wú)抗反射膜層，或者，在所述第一表面及第二表面 中的至少一表面上形成有抗反射膜層；

提供一承載基底；

在所述透光基底與所述承載基底之間設(shè)置負(fù)光阻層；

利用直寫(xiě)技術(shù)經(jīng)由所述透光基底對(duì)所述負(fù)光阻層曝光；

移去所述承載基底；

顯影，形成模仁。

2.如權(quán)利要求1所述的用于壓印制程的模仁制造方法，其特征在于，所述 透光基底為石英玻璃。

3.如權(quán)利要求1所述的用于壓印制程的模仁制造方法，其特征在于，所述 承載基底為塑料或石英玻璃或鐵或銅。

4.如權(quán)利要求1所述的用于壓印制程的模仁制造方法，其特征在于，在所 述第一表面上形成第一抗反射膜層或在所述第二表面上形成第二抗反射膜 層。

5.如權(quán)利要求4所述的用于壓印制程的模仁制造方法，其特征在于，在所 述第一抗反射膜層或所述第二抗反射膜層上設(shè)置所述負(fù)光阻層。

6.如權(quán)利要求1所述的用于壓印制程的模仁制造方法，其特征在于，所述 承載基底具有相對(duì)的第三表面及第四表面，在所述第三表面上形成第三抗反 射膜層或在所述第四表面上形成第四抗反射膜層。

7.如權(quán)利要求6所述的用于壓印制程的模仁制造方法，其特征在于，在所 述第三抗反射膜層或所述第四抗反射膜層上設(shè)置所述負(fù)光阻層。

8.如權(quán)利要求4或6所述的用于壓印制程的模仁制造方法，其特征在于， 所述第一抗反射膜層、所述第二抗反射膜層、所述第三抗反射膜層和所述第 四抗反射膜層為高折射率材料層或由高折射率材料層與低折射率材料層交替 疊加形成。

9.如權(quán)利要求8所述的用于壓印制程的模仁制造方法，其特征在于，所述 高折射率材料為氧化鉭或氧化鈦，所述低折射率材料為二氧化硅或三氧化二 鋁。

10.如權(quán)利要求5或7所述的用于壓印制程的模仁制造方法，其特征在于， 所述負(fù)光阻層的設(shè)置方法采用旋涂方法或噴涂方法。

11.如權(quán)利要求1所述的用于壓印制程的模仁制造方法，其特征在于，所 述直寫(xiě)技術(shù)為激光直寫(xiě)技術(shù)或電子束直寫(xiě)技術(shù)。

12.如權(quán)利要求1所述的用于壓印制程的模仁制造方法，其特征在于，進(jìn) 一步包括在移去所述承載基底之后進(jìn)行曝后烤。

13.如權(quán)利要求12所述的用于壓印制程的模仁制造方法，其特征在于，所 述曝后烤溫度為70~100攝氏度，烘烤時(shí)間為4~8分鐘。

14.如權(quán)利要求1所述的用于壓印制程的模仁制造方法，其特征在于，進(jìn) 一步包括在顯影之后進(jìn)行硬烤。

15.如權(quán)利要求14所述的用于壓印制程的模仁制造方法，其特征在于，所 述硬烤溫度為185~200攝氏度，烘烤時(shí)間為15~20分鐘。