[發(fā)明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法和測試方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810247424.2 | 申請日： | 2008-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN101770122A | 公開（公告）日： | 2010-07-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙繼剛;徐宇博 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362;G02F1/13;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 劉芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | tft lcd 陣列 及其 制造 方法 測試 | ||
1.一種TFT-LCD陣列基板，包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域，其特征在于，所 述外圍區(qū)域內(nèi)設(shè)置有至少一條第一測試線和至少一條第二測試線，所述第一 測試線平行于數(shù)據(jù)線，柵線、像素電極和公共電極線與至少一條所述第一測 試線交疊；所述第二測試線平行于柵線，所述數(shù)據(jù)線與至少一條第二測試線 交疊；其中，所述交疊是指被一層或一層以上的絕緣薄膜隔開且在基板上的 投影相互交叉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一測 試線與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一測 試線由第一線體部及第一連接部構(gòu)成，所述柵線、公共電極線和像素電極與 所述第一線體部交疊，且第一連接部暴露。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一連 接部上設(shè)置有保護層，所述保護層由導(dǎo)電材料構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第二測 試線與柵線同層設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第二測 試線由第二線體部及第二連接部構(gòu)成，所述數(shù)據(jù)線與所述第二線體部交疊， 且所述第二連接部暴露。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第二連 接部上設(shè)置有保護層，所述保護層由導(dǎo)電材料構(gòu)成。
8.一種TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1、通過構(gòu)圖工藝在基板上形成包括柵線、柵絕緣層、有源層、源電 極、漏電極、數(shù)據(jù)線、公共電極線及鈍化層圖形，并在外圍區(qū)域形成第一測 試線和第二測試線圖形，然后通過構(gòu)圖工藝在漏電極上形成鈍化層過孔，并 在所述第一測試線的第一連接部上形成第一連接部過孔；
步驟2、在完成步驟1的基板上沉積透明導(dǎo)電層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成 包括像素電極圖形，所述第一測試線平行于數(shù)據(jù)線，且與柵線、像素電極和公 共電極線交疊；所述第二測試線平行于柵線，且與所述數(shù)據(jù)線交疊；所述 交疊是指被一層或一層以上的絕緣薄膜隔開且在基板上的投影相互交叉。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于， 所述步驟1具體包括：
步驟11、在基板上沉積柵金屬層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線及柵 電極圖形；
步驟12、在完成步驟11的基板上沉積柵絕緣層、有源層薄膜，通過構(gòu) 圖工藝形成有源層圖形，所述有源層形成在所述柵電極之上；
步驟13、在完成步驟12的基板上沉積源漏金屬層薄膜，通過構(gòu)圖工藝 形成包括漏電極、源電極、數(shù)據(jù)線和TFT溝道圖形，并在外圍區(qū)域形成第一 測試線圖形；
步驟14、在完成步驟13的基板上沉積鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在漏電 極上形成鈍化層過孔，并在第一測試線的第一連接部之上形成第一連接部過孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于， 所述步驟11具體為：
在基板上沉積柵金屬層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線及柵電極圖形， 并在外圍區(qū)域形成第二測試線圖形，所述第二測試線包括第二線體部，所述 第二線體部平行于柵線。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，
所述步驟11具體為：
在基板上沉積柵金屬層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線及柵電極圖 形，并在外圍區(qū)域形成第二測試線圖形，所述第二測試線包括第二線體部 及第二連接部，所述第二線體部平行于柵線；
所述步驟14具體為：
在完成步驟13的基板上沉積鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在漏電極上形成 鈍化層過孔，并在第一測試線的第一連接部之上形成第一連接部過孔，在所 述第二連接部之上形成第二連接部過孔。
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學(xué)；光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
