[發明專利]一種有機電致發光器件無效
| 申請號: | 200810246830.7 | 申請日: | 2008-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN101771069A | 公開(公告)日: | 2010-07-07 |
| 發明(設計)人: | 邱勇;彭兆基;張明;吳偉力;辛小剛;陳劍雄;吳貴斌 | 申請(專利權)人: | 清華大學;北京維信諾科技有限公司;昆山維信諾顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 器件 | ||
技術領域
本發明涉及一種有機電致發光器件,尤其涉及一種改進金屬搭載區的有機電致發光器件。
背景技術
目前平板顯示領域大多以液晶、等離子體、有機電致發光器件為主,其中有機電致發光器件正逐步走向成熟,成為新一代平板顯示技術。
參照圖1,為有機電致發光器件屏體平面結構圖,其行電極在發光區A與引線區C之間的金屬搭載區B與電極引線6搭接,由電極引線1將行電極引出到綁定區D,與驅動芯片進行綁定。現有的金屬搭載區B的結構為:置于玻璃基板1之上的導電層,一般為ITO,其上設置相同圖形的低電阻金屬,如鉻、鉬、鉬-鋁-鉬,低電阻金屬層之上還設有絕緣層,絕緣層呈環狀,中間通孔用于暴露出金屬層,與后續蒸鍍的陰極,如鋁、銀等金屬導通,將各條陰極引出屏體發光區,到綁定區與驅動芯片綁定。
目前為了更好的在與電極導通,金屬搭載區的寬度都比引線其他部分寬,這種設計是能有效的增大電極及其引線搭載的面積,提高導通效果,但是生產中多次烘烤工藝,造成金屬會有變形。對于與金屬粘附力不是很好的絕緣層,很容易脫落,對器件造成污染。
參照圖1,為現有陰極為兩邊引出的OLED器件,左側為奇數行陰極引線,右側為相間于奇數行之間的偶數行陰極引線,金屬搭載區B為發光區A邊緣到引線變窄之間的區域,參照圖1-a,圖中打斜線部分為金屬搭載區及部分引線區導電層圖形,本圖截選偶數行4、6、8行圖形,奇數行引線設置于屏體發光區左側,本圖未示出,因此,這些奇數行位于右側金屬搭載區位置僅為導電層ITO及其上設置的絕緣層雙層結構,參照圖1-b,圖中打斜線部分為金屬搭載區及部分引線區低電阻金屬層圖形,而與奇數行相間的偶數行需要在右側金屬搭載區實現陰極與低電阻金屬層的搭載,從而通過低電阻金屬層將陰極與驅動芯片實現電連接。位于右側金屬搭載區的偶數行其從玻璃基板側順次為導電層ITO、低電阻金屬層、絕緣層、陰極層,其中導電層ITO、低電阻金屬層為近似矩形,絕緣層與奇數行絕緣層相連,參照圖1-c,圖中陰影部分為金屬搭載區絕緣層圖形,位于低電阻金屬矩形層之上的區域,絕緣層為環形,中間通孔為陰極與低電阻金屬層的真正搭接區域。
發明內容
本發明的目的在于提供一種能夠有效克服金屬搭載區絕緣層脫落現象的有機電致發光器件。
本發明的目的是通過以下技術方案予以實現的:本發明之有機電致發光器件包括基板、陽極條、有機功能層、陰極條,所述基板上分設發光區及引線區,所述發光區與引線區之間設置陰極條與其引線搭接的金屬搭載區,其特征在于,所述金屬搭載區絕緣層與導電層直接接觸。
所述金屬搭載區相鄰的各條搭載區之間或奇數條搭載區之間或偶數條搭載區之間設置絕緣層。
所述金屬搭載區絕緣層呈梳齒狀。
所述金屬搭載區順次為導電層、絕緣層、陰極層。
所述金屬搭載區搭載位置絕緣層設有供陰極層沉積的通孔。
所述金屬搭載區搭載位置絕緣層通孔內的陰極層與導電層搭接。
所述金屬搭載區的低電阻金屬層圖形彼此間絕緣。
所述金屬搭載區的低電阻金屬層圖形為數個彼此絕緣的柱狀體或條狀體或餅狀體。
所述絕緣層為有機材料聚合物材料,優選為聚酰亞胺涂層。
在有機電致發光器件領域內,一般的屏體引線設計中,金屬搭載區的長度是整條引線的1/m倍(m>200),搭載區寬度是整條引線其他部分的x(x>4)倍。通過計算,搭載區的引線電阻/整個引線電阻<1/800。
由以上計算結果可以得出,減小搭載區的金屬寬度對整個引線的電阻值影響很小。
本發明將引線與電極條搭載區設置成絕緣層直接與導電層ITO接觸,克服了絕緣層與低電阻金屬間附著性差的缺陷,從而在不影響引線電阻的情況下,解決絕緣層易剝落的缺陷;同時,對絕緣層材料的粘附性要求可以適當降低,擴大了絕緣層材料的選擇范圍。
附圖說明
圖1為現有技術有機電致發光器件屏體示意圖;
圖1-a為現有技術金屬搭載區及引線區導電層圖形;
圖1-b為現有技術金屬搭載區及引線區低電阻金屬層圖形;
圖1-c為現有技術金屬搭載區絕緣層圖形;
圖2為本發明實施例1有機電致發光器件屏體示意圖;
圖2-a為本發明實施例1金屬搭載區絕緣層圖形;
圖3為本發明實施例2有機電致發光器件屏體示意圖;
圖3-a為本發明實施例2金屬搭載區絕緣層圖形;
圖3-b為本發明實施例2金屬搭載區及引線區導電層圖形;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





