[發明專利]一種背點接觸異質結太陽能電池及其制造方法

無效

• 申請號: 200810246801.0
• 申請日: 2008-12-31
• 公開（公告）號: CN101447518A
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發明（設計）人: 陳國江;鐘運輝;許穎;張燕鵬;鄧峻峰
• 申請（專利權）人: 江蘇艾德太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/052;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐 寧

1、一種背點接觸異質結太陽能電池，其特征在于：它包括多個結構相同的連接在一起的單元，每個所述單元采用P型或N型單晶硅片作為硅襯底作為太陽能電池的基區；所述硅襯底的背表面由內至外依次制備鈍化層和鋁層，在所述鋁層表面使用激光加熱技術形成點接觸基區電極；所述硅襯底的正表面沉積有非晶層作為太陽能電池的發射區；所述非晶層表面具有透明導電薄膜及其上設置的發射區電極；使用時將每個單元的所述基區電極和所述發射區電極分別通過導線連接用電設備的正極和負極。

2、如權利要求1所述的一種背點接觸異質結太陽能電池，其特征在于：所述鈍化層為重摻雜的非晶硅、微晶硅或二氧化硅之一。

3、如權利要求1所述的一種背點接觸異質結太陽能電池，其特征在于：所述非晶層由本征a-Si:H層和與所述硅襯底極性相反的N型或P型a-Si:H層構成。

4、如權利要求2所述的一種背點接觸異質結太陽能電池，其特征在于：所述非晶層由本征a-Si:H層和與所述硅襯底極性相反的N型或P型a-Si:H層構成。

5、如權利要求1或2或3或4所述的一種背點接觸異質結太陽能電池，其特征在于：所述發射區電極為銀電極。

6、如權利要求1～5所述的一種背點接觸異質結太陽能電池的制造方法，其步驟包括：

1)用堿性腐蝕方法在P型或N型硅襯底的正表面作表面織構化，并對所述正表面進行常規清洗；

2)在所述硅襯底的背表面制備鈍化層；

3)在所述鈍化層上用磁控濺射或蒸鍍鋁的方法設置鋁層，并采用激光加熱技術使所述鋁層上形成點接觸基區電極；激光處理結束后，用溶劑清洗的方法去除殘留的摻雜源，并干燥；

4)在所述硅襯底正表面上用PECVD方法沉積所述非晶層；

5)在所述非晶層上在低于200℃的溫度下，用濺射技術沉積所述透明導電薄膜；

6)用淀積方法在所述導電薄膜上制作發射區電極；

7)將電池整體放入管式爐中，在400℃以下溫度進行燒結。

7、如權利要求6所述的一種背點接觸異質結太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述步驟3)中的激光的波長為380～1200nm，加熱溫度800～1400℃。