[發明專利]高耗能自解耦式磁流變阻尼器

有效

• 申請號: 200810242953.3
• 申請日: 2008-12-30
• 公開（公告）號: CN101446117A
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發明（設計）人: 杜成斌;李志全;于國軍;孫立國
• 申請（專利權）人: 河海大學;南京河?？萍加邢薰?/a>
• 主分類號: E04B1/98
• 分類號: E04B1/98
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 樓高潮

1.高耗能自解耦式磁流變阻尼器，它包括一個主缸體(6)、一個副缸體(13)、一個主活塞(8)、兩個副活塞(23)、磁流變阻尼通道(26)、組合結構蓄能器(14、15)、隔磁套筒(3)、阻磁環(5)、線圈外圍隔磁護套(19)、活塞內圍隔磁護套(21)，其特征在于：活塞桿(25)上布置一個主活塞(8)和兩個副活塞(23)，兩個副活塞(23)上設置機械式彈簧自解耦機構，在缸蓋(2)與連接缸蓋(12)上分別安裝有組合結構蓄能器，所述機械式彈簧自解耦機構由活塞桿(25)上彈簧自解耦擋板(4)、副活塞(23)和連接二者的環形彈簧(14)組成；所述組合結構蓄能器由軟鋼碟形彈簧片(15)和環形彈簧(14)組合而成。

2.根據權利要求1所述的高耗能自解耦式磁流變阻尼器，其特征在于：主缸體(6)內的兩個副活塞(23)分別位于主活塞(8)的兩側，三個活塞內部均設有永磁體(9)。