[發明專利]一種檢測太赫茲信號的超導氮化鈮熱電子接收檢測裝置

無效

• 申請號: 200810242901.6
• 申請日: 2008-12-24
• 公開（公告）號: CN101452032A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發明（設計）人: 康琳;陳健;吳培亨;王金平;梁敏
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00;G01J5/00;C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙）
• 代理人: 柏尚春

1、一種檢測太赫茲信號的超導氮化鈮熱電子接收檢測裝置，其特征是該裝置包括：入射信號源、本振信號源、光束分離器、超半球透鏡、偏置電源、杜瓦、低溫和常溫放大器、濾波器、功率計和超導氮化鈮熱電子器件；被檢測信號由入射信號源發出，通過光束分離器后，與本振信號一起由杜瓦的窗口入射至Si超半球透鏡上，再經Si超半球透鏡匯聚至氮化鈮熱電子器件上，由偏置電壓源提供的直流偏置由T型偏置接頭提供到氮化鈮熱電子器件上，氮化鈮熱電子器件檢測出的中頻信號經由低溫和常溫放大器放大、濾波器濾波后，由功率計讀出。

2、根據權利要求1所述的一種檢測太赫茲信號的超導氮化鈮熱電子接收檢測裝置，其特征在于所述的入射信號源為冷負載為77K或熱負載為297K的一個黑體。

3、根據權利要求1所述的一種檢測太赫茲信號的超導氮化鈮熱電子接收檢測裝置，其特征是所述的超導氮化鈮熱電子器件是利用超薄氮化鈮超導薄膜的生長技術和微加工技術制得的。

4、根據權利要求1或3所述的一種檢測太赫茲信號的超導氮化鈮熱電子接收檢測裝置，其特征是所述的氮化鈮熱電子器件由超導氮化鈮微橋和金薄膜的平面天線構成，氮化鈮微橋的厚度為3-5納米，超導氮化鈮微橋區尺寸為0.4×4μm²，平面天線采用對數螺旋結構，材料采用250nm的金薄膜，天線頻率范圍為0.4THz到5THz。

5、根據權利要求3所述的一種檢測太赫茲信號的超導氮化鈮熱電子接收檢測裝置，其特征是所述的微加工技術采用磁控濺射的方法制備超薄NbN超導薄膜，使用電子束曝光技術和反應離子刻蝕技術實現超導微橋區尺寸，用光刻技術和lift-off工藝技術實現天線的制備。