[發明專利]一種CF顯示面板以及加工方法

有效

• 申請號: 200810241332.3
• 申請日: 2008-12-17
• 公開（公告）號: CN101458355A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發明（設計）人: 胡安春;吳永光;溫景成;董堅
• 申請（專利權）人: 深圳市力合薄膜科技有限公司
• 主分類號: G02B5/23
• 分類號: G02B5/23;B32B17/06;C23C14/35;B08B3/12;B08B11/04
• 代理公司: 深圳市中知專利商標代理有限公司
• 代理人: 呂曉蕾

技術領域：

本發明涉及一種CF顯示面板以及加工方法，它屬于彩色濾光片加工技術領域。

背景技術：

現有技術中的CF顯示面板是指彩色濾光片，及Color?Filter，簡稱“CF面板”，它被廣泛應用于手機、數碼相機、數碼攝像機、PDA、MP4、車載顯示屏、工業控制面板等。隨著此類消費電子產品的市場需求不斷增長，CF面板擁有廣闊的市場前景，彩色濾光片的發展創造了良好的市場空間。彩色濾光片生產技術，包括蓋光刻技術、清洗技術、膜厚控制技術、段差控制技術、線寬控制技術、總間距控制技術、圖形對位精度控制、表面質量控制技術等，而CF基板鍍SiO2+AlNd是彩色濾光片生產的關鍵技術，目前比較成熟的工藝方法其設備昂貴，加工難度比較高，因此導致了成品價格高居不下。而現有的一些比較簡單的工藝方法均不成熟，容易產生針孔超標、打弧、膜層均勻性差的缺陷，導致彩色濾光片顯示顏色異常、短路、開路等等不良，合格率偏低，嚴重影響彩色濾光片產品的質量。

發明內容：

本發明的目的在于提供一種加工工藝簡單，加工成本低，膜層的方阻低、反射率高，表面質量良好的CF顯示面板以及加工方法。

本發明的目的是這樣實現的：

一種CF顯示面板，其特征在于它包括鈉鈣玻璃基板，在所述的鈉鈣玻璃基板上設置有二氧化硅SiO₂膜層，在所述的二氧化硅SiO₂層上再設置一層AlNd膜層。

所述的鈉鈣玻璃基板設置二氧化硅SiO₂層后的鈉鈣玻璃基板透過率為90.5～91.5％，二氧化硅SiO₂膜厚為設置AlNd層后的鈉鈣玻璃基板的反射率89～92％、方阻0.6～0.8Ω/□、所述的AlNd膜層厚度為

所述的CF顯示面板的加工方法，其特征在于它包括如下的工藝步驟：

A：清洗裝片：在進行鍍膜之前對鈉鈣玻璃進行超聲波預清洗，再使用平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍膜，所述的裝片使用專用鋁框防止繞射；

B：鍍膜：鍍膜采用LHKJ立式全自動連續磁控濺射鍍膜機，用于與氧化硅SiO的相反應的氣體純度O₂為99.99％、濺射氣體為鉻Ar，純度為99.99％；鈉鈣玻璃基片的加熱溫度為55～70℃，鍍膜室傳動速度頻率為11～17Hz，加熱時間為10～20分鐘后，在4號室鍍二氧化硅SiO₂，二氧化硅SiO₂濺射功率4500～4500W、氧氣O₂流量為20～30Sccm、鉻Ar流量160～220Sccm、鍍膜室真空度3.0*10^-1Pa～4.5*10^-1Pa之間，加熱15～30分鐘后鍍AlNd膜層膜：總氣壓為0.30～0.45Pa，使用6個靶進行鍍膜，鍍膜室鉻Ar流量為160～220Sccm、鍍膜室真空度為3.0*10^-1Pa～4.5*10^-1Pa之間。

本發明的優選的工藝步驟：

A：清洗裝片：在進行鍍膜之前對鈉鈣玻璃進行超聲波預清洗，再使用平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍膜，裝片使用專用鋁框防止繞射；

B：鍍膜：鍍膜采用LHKJ立式全自動連續磁控濺射鍍膜機，用于與氧化硅SiO的相反應的氣體純度氧氣O₂為99.99％、濺射氣體為鉻Ar，純度為99.99％；鈉鈣玻璃基片加熱溫度為70℃，鍍膜室傳動速度頻率為17Hz，加熱時間10分鐘后，在4號室鍍SiO₂，SiO₂濺射功率4500W、氧氣O₂流量為30Sccm、鉻Ar流量200～220Sccm、鍍膜室真空度為4.0*10^-1Pa～4.5*10^-1Pa之間，加熱15分鐘后鍍AlNd膜：總氣壓為0.40～0.45Pa，使用6個靶進行鍍膜，鍍膜室鉻Ar流量為200～220Sccm、鍍膜室真空度4.0*10^-1Pa～4.5*10^-1Pa之間；所產出的CF顯示面板中的二氧化硅SiO₂的膜厚為SiO₂透過率為90.5％、AlNd膜厚AlNd膜的反射率為89％、方阻為0.6Ω/□。

本發明的進一步的優選工藝步驟：

A：清洗裝片：在進行鍍膜之前對鈉鈣玻璃進行超聲波預清洗，再使用平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍膜，裝片使用專用鋁框防止繞射；