[發明專利]一種CMOS芯片處理方法及設備

有效

• 申請號: 200810241030.6
• 申請日: 2008-12-25
• 公開（公告）號: CN101764095A
• 公開（公告）日: 2010-06-30
• 發明（設計）人: 聞正鋒
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/265
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種不執行快速熱退火操作的CMOS芯片處理方法，其特征在于，所 述方法包括以下步驟：

向待處理的CMOS芯片注入二氟化硼，其中，注入所述二氟化硼的能量 為60千電子伏特，注入二氟化硼的劑量范圍為1.8×10¹²ions/cm²～2.2× 10¹²ions/cm²；

對注入二氟化硼后的所述待處理的CMOS芯片進行側墻蝕刻操作。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，注入二氟化硼的劑量為2.0× 10¹²ions/cm²。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，注入二氟化硼的方式為離子 注入。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述待處理的CMOS芯片 進行側墻蝕刻操作之后，所述方法還包括：

對所述CMOS芯片進行退火操作，得到處理后的CMOS芯片，其中，退 火時間范圍為30分鐘～1小時，退火溫度范圍為800攝氏度～900攝氏度。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，

退火時間為30分鐘，退火溫度為850攝氏度。

6.一種不執行快速熱退火操作的CMOS芯片處理設備，其特征在于，所 述設備包括：

元素注入模塊，用于向待處理的CMOS芯片注入二氟化硼，其中，注入 所述二氟化硼的能量為60千電子伏特，注入二氟化硼的劑量范圍為1.8× 10¹²ions/cm²～2.2×10¹²ions/cm²；

側墻蝕刻模塊，用于對注入二氟化硼后的所述待處理的CMOS芯片進行 側墻蝕刻操作。

7.如權利要求6所述的設備，其特征在于，

所述元素注入模塊，進一步用于向所述待處理的CMOS芯片注入劑量為 2.0×10¹²ions/cm²的二氟化硼。

8.如權利要求6所述的設備，其特征在于，

所述元素注入模塊，進一步用于通過離子注入的方式向所述待處理的 CMOS芯片注入二氟化硼。

9.如權利要求6所述的設備，其特征在于，所述設備還包括：

退火模塊，用于對進行側墻蝕刻操作后的CMOS芯片進行退火操作，其 中，退火時間范圍為30分鐘～1小時，退火溫度范圍為800攝氏度～900攝氏 度。

10.如權利要求9所述的設備，其特征在于，

所述退火模塊，進一步用于以退火時間為30分鐘，退火溫度為850攝氏 度的條件對進行側墻蝕刻操作后的CMOS芯片進行退火操作。