[發明專利]一種太陽能電池單晶硅片的界面鈍化方法無效
| 申請號： | 200810240302.0 | 申請日： | 2008-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN101752458A | 公開（公告）日： | 2010-06-23 |
| 發明（設計）人： | 周志文;曾祥斌;宋佩珂 | 申請（專利權）人： | 廣東志成冠軍集團有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京連城創新知識產權代理有限公司 11254 | 代理人： | 劉伍堂 |
| 地址： | 523718 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽能電池 單晶硅 界面 鈍化 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種太陽能電池單晶硅片的界面鈍化方法，通過對單晶硅實施以下步驟得以實現：
(1)對單晶硅片背面進行保護處理；
(2)將保護處理后的單晶硅片浸入稀氫氟酸處理后，進行清洗和干燥；
(3)將干燥后單晶硅片放入等離子增強化學氣相淀積系統的真空室中，并加熱單晶硅片到室溫～300℃；
(4)通入能產生原子氫的氣體到真空室，并對真空室施加射頻電壓；
(5)關閉反應氣體，抽真空到背景真空度，得到界面鈍化后的單晶硅片。
2.如權利要求1所述的一種太陽能電池單晶硅片的界面鈍化方法，其特征在于，所述對保護處理后的單晶硅片處理的稀釋氫氟酸的體積濃度為1％～10％，處理時間為30～90秒。
3.如權利要求1所述的一種太陽能電池單晶硅片的界面鈍化方法，其特征在于，所述步驟(3)中的真空室的真空度為10-6Torr或以上。
4.如權利要求1所述的一種太陽能電池單晶硅片的界面鈍化方法，其特征在于，所述步驟(4)中通入真空室的能產生原子氫的氣體流量是為10～80毫升/分鐘，并維持真空室的壓力在1×10-2～1×10Torr。
5.如權利要求1所述的一種太陽能電池單晶硅片的界面鈍化方法，其特征在于，所述對真空室施加的射頻電壓功率為50W～150W，施加的時間為10min～120min。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
