[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體氧化物微納復(fù)合結(jié)構(gòu)薄膜的制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810240149.1
• 申請(qǐng)日: 2008-12-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101441941A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陶霞;鄭言貞;許輝;王立新;陳建峰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京化工大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01G9/20
• 分類(lèi)號(hào): H01G9/20;H01G9/04;H01G9/022
• 代理公司: 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 張 慧

1.一種半導(dǎo)體氧化物微納復(fù)合結(jié)構(gòu)薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)半導(dǎo)體氧化物納米晶薄膜的制備：

將粒徑為1-100nm的半導(dǎo)體氧化物納米晶加入溶劑中，超聲分散均勻，得到濃度為0.001-1g/mL的半導(dǎo)體氧化物納米晶溶液后，將所得溶液采用滴敷法或涂敷法在導(dǎo)電玻璃上制備半導(dǎo)體氧化物納米晶薄膜，而后將覆蓋有半導(dǎo)體氧化物納米晶薄膜的導(dǎo)電玻璃在馬福爐中于250-600℃下，焙燒0.2-5.0h，冷卻至室溫得到半導(dǎo)體氧化物納米晶薄膜；

2)微納復(fù)合結(jié)構(gòu)薄膜的制備：

將尺寸為100-2000nm的微米/亞微米半導(dǎo)體氧化物顆粒加入溶劑中，超聲分散均勻，得到濃度為0.001-1g/mL的微米/亞微米半導(dǎo)體氧化物溶液，將所得溶液采用滴敷法或涂敷法，在步驟1)中制備的半導(dǎo)體氧化物納米晶薄膜表面制備微米/亞微米半導(dǎo)體氧化物薄膜，而后將其在馬福爐中，于250-600℃，焙燒0.2-5.0h，冷卻至室溫，得到厚度為3-25μm的半導(dǎo)體氧化物微納復(fù)合結(jié)構(gòu)薄膜，其中，半導(dǎo)體氧化物納米晶薄膜和微米/亞微米半導(dǎo)體氧化物薄膜的厚度比為100-1∶1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)中所述的半導(dǎo)體氧化物納米晶為氧化鋅、二氧化鈦或二氧化錫。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)中所述的導(dǎo)電玻璃為FTO導(dǎo)電玻璃、ITO導(dǎo)電玻璃或柔性導(dǎo)電基底。?

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)和2)中所述的溶劑為無(wú)水乙醇、蒸餾水或無(wú)水乙醇與蒸餾水的混合液。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)中所述的微米/亞微米半導(dǎo)體氧化物為氧化鋅、二氧化鈦或二氧化錫。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述的微米/亞微米半導(dǎo)體氧化物顆粒的形狀為球形、片狀、棒狀、線(xiàn)狀或管狀。?