[發(fā)明專利]半導(dǎo)體加工腔室部件及其制造方法及半導(dǎo)體加工設(shè)備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810240103.X
• 申請日: 2008-12-17
• 公開（公告）號: CN101752214A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陶林;張寶輝;錢進(jìn)文
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01J37/317;C23C16/44;C23F4/00
• 代理公司: 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11260
• 代理人: 趙鎮(zhèn)勇

1.一種半導(dǎo)體加工腔室部件，其特征在于，所述腔室部件的表面涂有金屬打底層，所述金屬打底層之上涂有陶瓷保護(hù)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體加工腔室部件，其特征在于，所述金屬打底層包括以下至少一種材料：Al、Al-Ni合金、Ti、P-Ni合金。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體加工腔室部件，其特征在于，所述Al-Ni合金中包括以下至少一種物質(zhì)相：Ni、Al₂O₃、NiO。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體加工腔室部件，其特征在于，所述Al-Ni合金中，Al、Ni之比為：Al∶Ni＝4～7∶93～96。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體加工腔室部件，其特征在于，所述Al-Ni合金中，Al、Ni之比為：Al∶Ni＝5∶95。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體加工腔室部件，其特征在于，所述金屬打底層的厚度為50～100um。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體加工腔室部件，其特征在于，所述陶瓷保護(hù)層包含以下至少一種材料：Y₂O₃、Al₂O₃、SiC、Si₃N₄、BN、B₄C。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的半導(dǎo)體加工腔室部件，其特征在于，所述陶瓷保護(hù)層的厚度為50～500um。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體加工腔室部件，其特征在于，所述陶瓷保護(hù)層的厚度為150～250um。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體加工腔室部件，其特征在于，所述陶瓷保護(hù)層的孔隙率小于6％。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體加工腔室部件，其特征在于，所述腔室部件的材質(zhì)包括以下至少一種材質(zhì)：陶瓷、石英、合金材料。

12.一種權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體加工腔室部件的制造方法，其特征在于，包括步驟：

首先，對所述腔室部件的表面進(jìn)行噴砂處理；

然后，在所述腔室部件的表面沉積金屬打底層；

之后，在所述金屬打底層之上噴涂陶瓷保護(hù)層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體加工腔室部件的制造方法，其特征在于，所述腔室部件的表面進(jìn)行噴砂處理后的表面粗糙度Ra為4～10um。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體加工腔室部件的制造方法，其特征在于，所述金屬打底層的表面粗糙度Ra為5～20um。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體加工腔室部件的制造方法，其特征在于，所述金屬打底層的沉積方式包括以下至少一種方式：電弧熔射、等離子噴涂。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體加工腔室部件的制造方法，其特征在于，所述陶瓷保護(hù)層的噴涂方式包括等離子噴涂沉積。

17.一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括工藝腔室，其特征在于，所述工藝腔室包括權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體加工腔室部件。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，該半導(dǎo)體加工設(shè)備包括以下至少一種設(shè)備：

干法刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、化學(xué)氣相淀積設(shè)備。