[發明專利]一種制備ZnO納米線懸浮的背柵場效應管的方法

無效

• 申請號: 200810240075.1
• 申請日: 2008-12-17
• 公開（公告）號: CN101752257A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發明（設計）人: 黎明;徐靜波;付曉君
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種制備ZnO納米線懸浮的背柵場效應管的方法，該方法包括：

制備高摻雜的P++襯底；

在高摻雜的P++襯底的正面蒸發一層SiO₂形成柵氧；

采用HF濕法腐蝕去掉高摻雜P++襯底背面的氧化層，背金形成柵極；

在柵氧上光刻蒸發源漏金屬電極；

采用乙醇水解超聲的方法使ZnO納米線從本征玻璃襯底上面剝離下來；

將剝離下來的單條ZnO納米線隨機滴入P型Si襯底的源漏金屬電極上進行定位，使ZnO納米線作為場效應晶體管的溝道將源漏電極搭接起來，形成ZnO納米線懸浮的背柵場效應管。

2.根據權利要求1所述的制備ZnO納米線懸浮的背柵場效應管的方法，其特征在于，所述高摻雜的P++襯底是單晶硅片摻雜濃度達到10²⁰以上，其單位電阻值小于0.01Ω·cm。

3.根據權利要求1所述的制備ZnO納米線懸浮的背柵場效應管的方法，其特征在于，所述在高摻雜的P++襯底的正面蒸發SiO₂采用PECVD方法，蒸發的SiO₂的厚度是

4.根據權利要求1所述的制備ZnO納米線懸浮的背柵場效應管的方法，其特征在于，所述采用HF濕法腐蝕去掉高摻雜P++襯底背面的氧化層，背金形成柵極，具體包括：

在襯底正面用AZ5214光刻膠覆蓋，在襯底背面采用HF濕法腐蝕去掉SiO₂氧化物，丙酮水清洗，N₂吹干，然后在高摻雜的P++襯底背面采用背金工藝形成柵極。

5.根據權利要求4所述的制備ZnO納米線懸浮的背柵場效應管的方法，其特征在于，所述在高摻雜的P++襯底背面采用背金工藝形成柵極，采用電子束蒸發方法，壓力小于2×10^-6Torr，背柵金屬是Ti/Au，其中，Ti的厚度是Au的厚度是

6.根據權利要求1所述的制備ZnO納米線懸浮的背柵場效應管的方法，其特征在于，所述在柵氧上光刻蒸發源漏金屬電極，具體包括：

將高摻雜的P++襯底在130℃烘箱走程序一次，在高摻雜的P++襯底正面形成的柵氧上涂膠AZ5214，3500轉/分，涂1分鐘，用1號源漏陽版，曝光2.8秒，反轉90s，泛曝，顯影60s，顯微鏡觀察，線條清晰完整；然后RIE?O₂?60sccm，20W，60秒，在H₃PO₄∶H₂O＝1∶15(體積比)的溶液中漂30秒，水沖干凈，N₂吹干，立即送蒸發金屬Ti/Au，其中Ti的厚度是Au的厚度是然后丙酮浸泡1天后取出，仍然有殘膠，超聲4檔五分鐘去掉殘膠。

7.根據權利要求1所述的制備ZnO納米線懸浮的背柵場效應管的方法，其特征在于，所述采用乙醇水解超聲的方法使ZnO納米線從本征玻璃襯底上面剝離下來，具體包括：

將原生長ZnO納米線的本征玻璃襯底放在乙醇中經過超聲波降解3分鐘，降解后ZnO納米線大部分從本征玻璃襯底脫離并分散在乙醇溶液中。

8.根據權利要求1所述的制備ZnO納米線懸浮的背柵場效應管的方法，其特征在于，所述將剝離下來的單條ZnO納米線隨機滴入P型Si襯底的源漏金屬電極上進行定位，使ZnO納米線作為場效應晶體管的溝道將源漏電極搭接起來，形成ZnO納米線懸浮的背柵場效應管，具體包括：

采用滴管將剝離下來的單條ZnO納米線隨機滴入P型Si襯底的源漏金屬電極上，反復多次滴入多次，使單條納米線進入源漏中心，ZnO納米線兩端與源漏形成良好接觸，形成ZnO納米線懸浮的背柵場效應管。