[發(fā)明專利]一種用于n型硅的透明導(dǎo)電陰極接觸結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810239758.5 | 申請日： | 2008-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN101436636A | 公開（公告）日： | 2009-05-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 趙雷;王文靜 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院電工研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京科迪生專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 關(guān) 玲;賈玉忠 |
| 地址： | 100080北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 透明 導(dǎo)電 陰極 接觸 結(jié)構(gòu) | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種用于n型硅的透明導(dǎo)電陰極接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于：在n型硅上是一層氟化鋰層，然后在氟化鋰層上是透明導(dǎo)電電極，所述的透明導(dǎo)電電極的功函數(shù)大于所述的n型硅的功函數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于n型硅的透明導(dǎo)電陰極接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的氟化鋰層的厚度在0.5-2nm之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于n型硅的透明導(dǎo)電陰極接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的n型硅是n型的單晶硅或多晶硅或薄膜硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于n型硅的透明導(dǎo)電陰極接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的薄膜硅是非晶硅或微晶硅或納米晶硅。
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