[發(fā)明專利]成膜載板及太陽能電池的生產(chǎn)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810239693.4
• 申請日: 2008-12-15
• 公開（公告）號: CN101748378A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李永軍
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: C23C16/24
• 分類號: C23C16/24;C23C16/513;C23C16/455;H01L31/18;H01L21/00
• 代理公司: 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11260
• 代理人: 趙鎮(zhèn)勇

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種成膜技術(shù)，尤其涉及一種成膜載板及太陽能電池的生產(chǎn)方法。

背景技術(shù)

在多晶硅太陽能制造設(shè)備中，PECVD(等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積)設(shè)備用來實現(xiàn)多晶硅表 面減反射層氮化硅的沉積，等離子能量增加了反應(yīng)粒子的活性，在400℃～500℃溫度下使 工藝氣體實現(xiàn)解離、反應(yīng)、沉積等工藝。

如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的PECVD設(shè)備的工藝腔室結(jié)構(gòu)包括氣體進(jìn)入孔1、氣體勻流板及 上電極2、等離子體發(fā)生源3、工藝腔室4、載板5、加熱板及下電極6等。

工藝氣體通過氣體進(jìn)入孔1、氣體勻流板2進(jìn)入工藝腔室4，保證工藝氣體均勻分布在 載板5的上方，并形成等離子體，進(jìn)行氮化硅薄膜沉積等成膜工藝。在PECVD成膜過程中， 影響膜質(zhì)量的工藝參數(shù)主要有等離子體分布均勻性，溫度均勻性以及氣流均勻性等，對于 大尺寸設(shè)備來說，工藝參數(shù)的均勻性尤其重要。

如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中的載板5為實心平板狀，載板5的上方設(shè)有多塊基片7，工藝氣 體在載板5的上方反應(yīng)成所需薄膜沉積在基片7的上方。

上述現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下缺點：

由于載板5為實心平板，工藝氣體由氣體勻流板2運動至載板5時，會流向載板5的四 周，使載板5四周的氣體濃度大于載板5中心位置的氣體濃度，無法在基片7的上方獲得均勻 的工藝氣體，影響了膜的均勻性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種能使工藝氣體均勻的成膜載板及太陽能電池的生產(chǎn)方法。

本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：

本發(fā)明的成膜載板，該成膜載板上開有多個通孔。

本發(fā)明的太陽能電池的生產(chǎn)方法，包括薄膜沉積工藝，將太陽能電池基片放在上述的 成膜載板上，進(jìn)行所述薄膜沉積工藝。

由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所述的成膜載板及太陽能電池的生產(chǎn) 方法，由于成膜載板上開有多個通孔，使工藝氣體可以從成膜載板的四周及通孔中均勻通 過，提高氣體在成膜載板上方的均勻性，從而提高成膜的均勻性。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的PECVD設(shè)備的的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的載板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明的成膜載板的具體實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明的成膜載板的具體實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明的成膜載板的具體實施例三的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6a為本發(fā)明中的通孔的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖6b為本發(fā)明中的通孔的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖6c為本發(fā)明中的通孔的結(jié)構(gòu)示意圖三。

具體實施方式

本發(fā)明的成膜載板，其較佳的具體實施方式是，該成膜載板上開有多個通孔，多個通 孔可以在成膜載板上縱向布置一排或多排，并橫向布置一排或多排?？v、橫布置的多排通 孔將成膜載板分割成多個區(qū)域，每個區(qū)域可以放置成膜的基片。在成膜工藝中，工藝氣體 可以從成膜載板的四周及通孔中均勻通過，提高氣體在成膜載板上方的均勻性，從而提高 成膜的均勻性。

具體實施例一，如圖3所示，縱向布置的一排通孔9和橫向布置的一排通孔9分別設(shè)于 成膜載板8的橫向和縱向中心線處，將成膜載板8分割成4個區(qū)域，每個區(qū)域可以放置一塊基 片7。

具體實施例二，如圖4所示，上例中的每個區(qū)域可以放置4塊基片7。根據(jù)需要每個區(qū) 域也可以放置2、3、6塊等多塊基片7。

具體實施例三，如圖5所示，縱向布置的兩排通孔9和橫向布置的兩排通孔9將成膜載 板8分割成9個區(qū)域，每個區(qū)域可以放置一塊基片7。同樣，根據(jù)需要，每個區(qū)域也可以放置 多塊基片7.

多個通孔9的布置方式及基片7的布置方式不限于上述三個實施例中的布置方式，也可 以采用其它的布置方式。

如圖6a、6b、6c所示，通孔9的形狀根據(jù)需要可以為圓孔、方孔或喇叭形孔等，也可 以是其它形狀的孔。

通孔9的橫向最大尺寸可以小于或等于成膜載板的厚度的兩倍。用于保證等離子體不 能通過通孔9。

本發(fā)明的太陽能電池的生產(chǎn)方法，其較佳的具體實施方式是，將太陽能電池基片放在 上述的成膜載板上，進(jìn)行薄膜沉積工藝。

如在硅太陽能電池的制作工藝中，可以將成膜載板用于在多晶硅層上沉積氮化硅減反 射層，或其它的薄膜層等。