[發明專利]一種利用納米材料提高慢波組件散熱性能的方法無效
| 申請號： | 200810238873.0 | 申請日： | 2008-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN101752158A | 公開（公告）日： | 2010-06-23 |
| 發明（設計）人： | 韓勇;劉燕文;丁耀根;劉濮鯤 | 申請（專利權）人： | 中國科學院電子學研究所 |
| 主分類號： | H01J9/00 | 分類號： | H01J9/00;H01J23/00;C23C14/14;C23C14/02;C23C14/35 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 100080 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 利用 納米 材料 提高 組件 散熱 性能 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種利用納米材料提高慢波組件散熱性能的方法，其特征在于，包括步驟如下：
步驟1：將慢波組件樣品放入直流磁控濺射臺內；
步驟2：抽真空，并在100～400℃溫度下對樣品進行烘烤；
步驟3：當真空度達到8×10～4Pa以上時，充入惰性氣體，使真空度降低，氣壓升高；
步驟4：當壓強達到5～30Pa時，打開直流濺射電源，對金屬靶進行濺射10～30分鐘；
步驟5：由于真空室內氣壓較高，這時被濺射出的原子相互碰撞而形成較大的原子團，即納米粒子顆粒；
步驟6：納米粒子顆粒在樣品表面沉積，形成納米金屬薄膜。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟3中的惰性氣體為氬氣。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟4中的直流濺射電源，為電壓300～500V，電流100～300mA。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟4中的金屬靶為銥、鐵、銅、鉬、鎳或鎢。
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