[發明專利]一種氟基水溶液生長二氧化鈦薄膜的方法

無效

• 申請號: 200810238417.6
• 申請日: 2008-12-16
• 公開（公告）號: CN101439873A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發明（設計）人: 武衛兵;胡廣達
• 申請（專利權）人: 濟南大學
• 主分類號: C01G23/053
• 分類號: C01G23/053;C03C17/25;C04B41/00
• 代理公司: 濟南泉城專利商標事務所
• 代理人: 李桂存

1.一種氟基水溶液生長二氧化鈦薄膜的方法，其特征在于包括以下步驟：

(1)在基體上沉積無定形二氧化鈦種子層；

(2)將種子層置于生長溶液中生長；

(3)將生長后的薄膜進行清洗和干燥處理；

所述生長溶液是在摩爾濃度為0.01-0.2mol·L^-1的鈦鹽水溶液中加入鈦鹽穩定劑配制而成，鈦鹽穩定劑與鈦鹽的摩爾比為0-1∶2，鈦鹽穩定劑不包括0，鈦鹽為四氟化鈦、六氟鈦酸銨或其混合物，鈦鹽穩定劑為氫氟酸、氟化銨、氟化鈉和氟化鉀中的一種或多種；

所述種子層生長成薄膜的生長溫度為70-100℃，生長時間為6-72小時。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：沉積的種子層厚度小于50nm。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述基體為普通鈉鈣硅玻璃、石英玻璃、硼玻璃、ITO或FTO導電玻璃、預制二氧化硅層的鈉鈣硅玻璃、不銹鋼、陶瓷、玻璃纖維及其紡織品、硅片或藍寶石。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述沉積種子層的方法為溶膠凝膠法或磁控濺射。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：清洗方法為先將生長后的薄膜轉移至與生長溶液同溫的氟離子摩爾濃度為0.01-0.1mol·L^-1的水溶液中浸泡，然后依次在堿液、酸液和去離子水中清洗。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：所述堿液pH＝9-14，酸液pH≤2。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：干燥處理方法為將清洗后的薄膜在50-75℃干燥1-2小時。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述生長溫度為85-95℃，生長時間為9-24小時。