[發(fā)明專利]氮化鎵基發(fā)光二極管無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810237809.0 | 申請日： | 2008-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN101494266A | 公開（公告）日： | 2009-07-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 潘群峰;吳志強(qiáng);林科闖 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門市三安光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 廈門原創(chuàng)專利事務(wù)所 | 代理人： | 徐東峰 |
| 地址： | 361009福建省廈門*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化 發(fā)光二極管 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.氮化鎵基發(fā)光二極管，包括：
一藍(lán)寶石襯底；
一緩沖層形成于藍(lán)寶石襯底之上；
一n型GaN基外延層形成于緩沖層之上；
一有源層，其材料為氮化銦鎵，形成于n型GaN基外延層之上；
一p型GaN基外延層形成于有源層之上；
一黏附層，其材料為銦鎵氧化物的混合物，該混合物形成于p型GaN基外延層之上；
一銦錫氧化物ITO層形成于黏附層之上；
一p電極，其材料包含Al或者Au，形成于ITO層之上；
一n電極，其材料包含Al或者Au，形成于n型GaN基外延層之上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基發(fā)光二極管，其特征在于：黏附層中銦的含量不高于5％，黏附層的厚度小于100
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化鎵基發(fā)光二極管，其特征在于：黏附層的厚度為10～50
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的氮化鎵基發(fā)光二極管，其特征在于：黏附層的形成方式包含濕法氧化和熱擴(kuò)散。
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