[發(fā)明專利]鐵電存儲器用鐵電薄膜的紫外光輔助制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810236930.1 | 申請日: | 2008-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN101436532A | 公開(公告)日: | 2009-05-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 于軍;李建軍;王耘波;周文利;高俊雄;聞心怡;吳云翼;周光惺 | 申請(專利權)人: | 華中科技大學 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/316;H01L21/8247 |
| 代理公司: | 華中科技大學專利中心 | 代理人: | 曹葆青 |
| 地址: | 430074湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲 器用 薄膜 紫外光 輔助 制備 方法 | ||
1.一種鐵電存儲器用鐵電薄膜的紫外光輔助制備方法,其步驟包括:
將前驅體溶液滴于Pt/TiO2/SiO2/Si襯底上,進行勻膠,得到濕膜,該前驅體溶液中Pb1.06-1.1Zr0.3Ti0.7O3的濃度為0.1~0.3mol/l;所述Pt/TiO2/SiO2/Si襯底依次由硅基底Si、二氧化硅阻擋層SiO2、二氧化鈦粘結層TiO2和電極Pt金屬層構成,其中二氧化硅阻擋層的厚度為100~600nm,二氧化鈦粘結層的厚度為10~30nm,電極Pt金屬層的厚度為100nm~200nm;
Pb1.06-1.1Zr0.3Ti0.7O3的前驅體溶液的原料配比為:(a)三水合乙酸鉛Pb(CH3COO)2·3H2O、五水硝酸鋯Zr(NO3)4·5H2O、鈦酸四正丁酯C16H36O4Ti的摩爾比為1.06∶0.3∶0.7~1.1∶0.3∶0.7;(b)乙酰丙酮CH3COCH2COCH3占前驅體溶液總體積的4~8%;(c)甲酰胺HCONH2、冰醋酸CH3COOH體積比為1∶1.6~1∶1.8,其體積和占前驅體溶液總體積的5~12%,余量溶劑為乙二醇甲醚;
(2)將所形成的濕膜進行烘烤,接著停止烘烤并輔以均勻紫外光輻照,然后再烘烤并輔以均勻紫外光輻照;
(3)將步驟(2)所形成的薄膜進行熱解處理;
(4)重復(1)-步驟(3)直至獲得所需厚度的薄膜;
(5)將步驟(4)所形成的薄膜進行退火處理,得到PZT鐵電薄膜。
2.根據權利要求1所述的紫外光輔助制備方法,其特征在于:前驅體溶液的制備過程為:
①將三水合乙酸鉛在100~120℃烘烤下去掉結晶水后溶解于乙二醇甲醚中,在70~80℃加熱條件下攪拌并溶解充分;
②將五水硝酸鋯溶解于甲酰胺中,并加入乙二醇甲醚,在70~80℃加熱條件下攪拌并溶解充分;
③將鈦酸四正丁酯溶解于乙酰丙酮中,攪拌并溶解充分;
④將步驟②和步驟③所得溶液倒入步驟①所得溶液中,加入冰醋酸,攪拌并混合充分;
⑤過濾步驟④所得溶液,并加入適量乙二醇甲醚定溶,得到金黃色的濃度為0.1~0.3mol/l的Pb1.06-1.1Zr0.3Ti0.7O3前驅體溶液。
3.根據權利要求1或2所述的紫外光輔助制備方法,其特征在于:步驟(2)中,烘烤溫度為100~150℃,先烘烤10~15分鐘,接著停止烘烤5~10分鐘并輔以紫外光輻照,然后再烘烤15~20分鐘并輔以紫外光輻照,紫外光強度為10~15mW/cm2。
4.根據權利要求1或2所述的紫外光輔助制備方法,其特征在于:步驟(3)中,熱解溫度為300~350℃,時間為20~30分鐘。
5.根據權利要求1或2所述的紫外光輔助制備方法,其特征在于:步驟(5)的退火條件為:退火溫度為550~600℃,退火時間為10~20分鐘,退火氣氛為空氣。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





