[發(fā)明專利]一種高可靠性片式保險(xiǎn)絲的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810235439.7
• 申請(qǐng)日: 2008-11-25
• 公開（公告）號(hào): CN101447370A
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陸秀榮;曹小明;南式榮;楊漫雪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京薩特科技發(fā)展有限公司
• 主分類號(hào): H01H69/02
• 分類號(hào): H01H69/02
• 代理公司: 南京知識(shí)律師事務(wù)所
• 代理人: 盧亞麗

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于熔斷器領(lǐng)域，具體涉及一種用于保護(hù)電子元器件的貼片保險(xiǎn)絲的制備方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的片式保險(xiǎn)絲及其制作可分為三大類，即獨(dú)石工藝制作的保險(xiǎn)絲、片阻工藝法制作的保險(xiǎn)絲以及在絕緣體內(nèi)穿金屬絲的保險(xiǎn)絲。獨(dú)石工藝方法是在陶瓷生坯基板上通過厚膜印刷一層或多層熔體，經(jīng)過橫向和縱向切割形成單個(gè)元件的生坯，再經(jīng)過共燒、封端及電鍍得到，其優(yōu)點(diǎn)是滅弧能力較強(qiáng)，且能達(dá)到較大的分?jǐn)嗄芰Γ秉c(diǎn)是它的制作周期較長(zhǎng)，且較難在保險(xiǎn)絲芯片上形成標(biāo)記；在絕緣體內(nèi)穿金屬絲的保險(xiǎn)絲最常見的是在陶瓷體內(nèi)留下孔洞，將熔絲穿入孔洞后再與端電極相聯(lián)，其優(yōu)點(diǎn)是該保險(xiǎn)絲分?jǐn)嗄芰艽螅乙恢滦砸草^好，缺點(diǎn)是要預(yù)先開膜，且陶瓷體穿絲的工藝復(fù)雜效率低下，很難進(jìn)行大批量的制作；而片阻工藝法是一個(gè)很成熟的工藝，其基本工藝是首先提供具有正反面的絕緣基片，基片上有橫向和縱向的切槽，從而將基片分割成多個(gè)矩形單元，隨后在基片上的各單元上分別形成面電極、背電極和熔體以及覆蓋熔體的保護(hù)層，將基片沿縱向切槽分割為多條基片，在各條基片的兩側(cè)端面上形成端頭內(nèi)電極，最后將各基片按橫向切槽分割成多個(gè)矩形單元從而得到所需要的芯片，制造流程簡(jiǎn)單，且每一流程的制作周期都很短，大大提高了產(chǎn)量降低了制造成本，因而得到了廣泛的采用。用片阻工藝法制片式保險(xiǎn)絲在現(xiàn)階段分為三種方法，一種是厚膜工藝法，其特點(diǎn)是用絲網(wǎng)直接在基片上印刷熔體；一種是薄膜工藝法，其運(yùn)用了表面沉積、電鍍、光刻等技術(shù)使基片表面形成熔體；最后一種是多元金屬法，往往是先進(jìn)行厚膜印刷得到一特定熔體圖形(有時(shí)會(huì)先在絕緣基板上形成一隔熱層)，燒結(jié)后再在其上用薄膜法形成不同材料的第二或第三金屬層。多元金屬法充分運(yùn)用到了低熔點(diǎn)金屬在融化時(shí)對(duì)高熔點(diǎn)金屬的合金效用，既提高了抗浪涌能力，又能保證其在過載時(shí)速斷性，是目前使用得最多的一種片式保險(xiǎn)絲的制作方法。

上述多元金屬法片式保險(xiǎn)絲的一種現(xiàn)有結(jié)構(gòu)如圖3所示，包括：絕緣基片100，基片下表面兩背電極101，基片上面積小于基片的隔熱層102，第二金屬層103，第一金屬層105為銅金屬層，頂層107為錫金屬層，第一保護(hù)層108，第二保護(hù)層109，端頭內(nèi)電極110，端電極111。

上述多元金屬法片式保險(xiǎn)絲的制造方法包括如下步驟：

一：提供基片，材質(zhì)為氧化鋁；

二：形成背電極：在基片下表面的左右兩側(cè)形成兩背電極，材質(zhì)為銀；

三：形成隔熱層：于基片上表面中央形成隔熱層，其面積小于基片，材質(zhì)為矽橡膠；

四：形成第二金屬層：以薄膜沉積法形成覆蓋基片上表面的第二金屬層，材質(zhì)為鈦鎢合金和銅；

五：形成第一光刻抗蝕劑層：于第二金屬層上形成第一光刻抗蝕劑層；

六：暴光顯影：對(duì)第一光致抗蝕劑層進(jìn)行暴光顯影，移除第一光致抗蝕劑層中的左右兩側(cè)及銜接兩側(cè)的中間部份，使預(yù)備形成的第一金屬層對(duì)應(yīng)位置部分第二金屬層裸露；

七：形成第二金屬層：將基片放置于電鍍槽中，于裸露的第二金屬層上形成第一金屬層；

八：除去剩余的第一光致抗蝕劑層：將不需要的第一光致抗蝕劑層移除，使原被第一光致抗蝕劑層覆蓋的第二金屬層裸露；

九：蝕刻第二金屬層：蝕刻移除未被第一金屬層覆蓋的第二金屬層裸露部分；

十：形成第二光致抗蝕劑層；

十一：暴光顯影：進(jìn)行暴光顯影，第二光致抗蝕劑層剩下覆蓋第一金屬層兩側(cè)端的兩第二光致抗蝕劑塊層，使第一金屬層的中間部分完全裸露；

十二：形成頂層金屬層：在第一金屬層中間裸露部分電鍍頂層金屬層；

十三：除去第二光致抗蝕劑層塊：除去第二光致抗蝕劑層塊；

十四：形成第一保護(hù)層：以矽橡膠形成至少覆蓋熔斷體層的第一保護(hù)層；

十五：形成第二保護(hù)層：以環(huán)氧樹脂形成第二保護(hù)層；

十六：形成端頭內(nèi)電極：以濺鍍方式在基片的左右端面形成端頭內(nèi)電極；

十七：形成端電極：以滾鍍方式形成端電極。