[發明專利]絲網印刷制備納米SiC薄膜中的熱燒結處理方法

無效

• 申請號: 200810233812.5
• 申請日: 2008-12-15
• 公開（公告）號: CN101475380A
• 公開（公告）日: 2009-07-08
• 發明（設計）人: 張秀霞
• 申請（專利權）人: 北方民族大學
• 主分類號: C04B35/64
• 分類號: C04B35/64;C04B35/565;H01J9/02;G01L1/00
• 代理公司: 寧夏專利服務中心
• 代理人: 趙明輝

1.一種絲網印刷制備納米SiC薄膜中的熱燒結處理方法，其特征在 于，包括下列步驟：

a、納米SiC、納米石墨和乙基纖維素的研磨：在漿料制備前分別將納 米SiC、納米石墨、和乙基纖維素進行研磨至粒度為100納米，使其團聚 體散開粒度變??；

b、制備納米SiC漿料：分別取研磨好的納米石墨15克、納米SiC60 克、乙基纖維素60克混合作為溶質，按質量比1∶3將溶質加入溶劑中， 超聲分散7小時至納米SiC在溶劑中充分分散，然后加熱到380K溫度充 分攪拌，然后再用400目數的篩過篩，過篩時在機械外力作用下使納米SiC 和納米石墨均勻分布，自然冷卻至室溫待用；

c、絲網印刷制備復合納米SiC薄膜：選擇目數為400目數的金屬絲網 或滌綸絲網，將上一步驟得到的納米SiC漿料通過絲網印刷機進行絲網印 刷在薄銅板上；

d、印刷后的熱燒結處理：升溫至360K后保持23分鐘，然后再升溫 至433K后保持70分鐘，然后再升溫至643K后保持75分鐘，自然冷卻至 室溫待用，熱燒結曲線包括3個升溫階段、3個恒溫階段和1個降溫階段；

e、熱燒結后的退火和機械后處理：置于退火爐中，在氮氣保護下，在 溫度為580K、時間為12min條件下進行退火；然后采用機械方法對納米 SiC薄膜表面進行處理即可，具體是用200μm厚的聚四氟乙烯薄膜片機械 地劃剝納米SiC薄膜的表面，然后用微弱粘膠性的藍膜輕輕地粘貼納米SiC 薄膜的表面，最后用風力吹掉留下的殘渣。

2.如權利要求1所述的絲網印刷制備納米SiC薄膜中的熱燒結處理 方法，其特征在于：熱燒結處理在智能燒結爐中進行。