[發明專利]基于電子束等離子刻印制備自旋顯微微懸臂探測器方法

無效

• 申請號: 200810232551.5
• 申請日: 2008-12-02
• 公開（公告）號: CN101417784A
• 公開（公告）日: 2009-04-29
• 發明（設計）人: 任韌
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司
• 代理人: 陳翠蘭

1.基于電子束等離子刻印制備自旋顯微微懸臂探測器方法，其特征在于，包括以下步驟：

首先，采用低溫低壓化學LPCVD方法在硅SOI基片上鍍制二氧化硅膜；

其次，等離子體RIE刻蝕二氧化硅膜的SOI基片，刻蝕出基片窗口陣列；

第三、濕刻基片：堿性溶液腐蝕基片窗口，用50-250毫升摩爾濃度為8％的NaOH溶液放入燒杯內，燒杯放在磁性攪拌器上，基片浸沒在NaOH溶液中，加熱，溫度在20-55℃間，時間12-24小時，直到基片表面外露出整齊基片10×50窗口陣列，窗口出現Si薄膜；

第四、在Si薄膜涂覆光阻膠；

第五、電子束EBL根據振蕩器的模板掩膜刻蝕光阻膠，形成振蕩器的形狀；電子束EBL在Si薄膜表面，窗口涂覆5209光刻膠，刻蝕自旋顯微微懸臂探測器，首先在EBL電子顯微刻蝕系統上，設計出振蕩器外貌形狀納米圖案，將窗口涂覆5209光刻膠的Si薄膜基片置于電子束EBL真空CHAMBER，抽真空度到6×10^-6Torr，用EBL設備在旋涂一層電子束曝光抗蝕劑的Si薄膜表面刻蝕，用電子束刻印術按設計的振蕩器外形刻制出納米圖案，然后刻蝕、剝離振蕩器外貌形狀以外5209光刻膠，依次移動位置刻出所有振蕩探測器；

最后、在HBr和Cl₂氣氛中，等離子體RIE刻蝕去除無光阻膠部分的Si，在O₂氣氛中，等離子體RIE刻蝕清除振蕩器表面的光阻膠即可。