[發明專利]絕緣柵型源場板異質結場效應晶體管

有效

• 申請號: 200810232512.5
• 申請日: 2008-12-01
• 公開（公告）號: CN101419985A
• 公開（公告）日: 2009-04-29
• 發明（設計）人: 毛維;郝躍;楊翠;過潤秋;張進成;馬曉華;許晟瑞
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 陜西電子工業專利中心
• 代理人: 王品華;朱紅星

1.一種絕緣柵型源場板異質結場效應晶體管，包括襯底(1)、過渡層(2)、勢壘層(3)、源極(4)、漏極(5)、絕緣介質層(6)、絕緣柵極(7)、鈍化層(8)、源場板(9)和保護層(11)，該源場板(9)位于鈍化層(8)上，且與源極(4)電氣連接，其特征在于，在自源場板到漏極方向的鈍化層(8)上淀積有n個浮空場板(10)，n≥1，相鄰兩浮空場板之間的間距按照浮空場板排列自源場板到漏極方向的個數依次遞增，并以源場板與其最鄰近的浮空場板之間的距離為起始點，該距離為0.05～3μm，這些浮空場板與源場板共同形成加長的復合源場板結構。

2.一種制作絕緣柵型源場板異質結場效應晶體管的方法，包括如下過程：

選擇藍寶石或碳化硅或硅或其它外延襯底材料作為襯底(1)，在襯底(1)上外延III-V族化合物半導體材料的過渡層(2)作為器件的工作區；

在過渡層(2)上淀積III-V族化合物半導體材料的勢壘層(3)；

在勢壘層(3)上制作掩膜，并在勢壘層(3)上的兩端淀積金屬，再在N₂氣氛中進行快速熱退火，分別制作源極(4)和漏極(5)；

分別在源極(4)和漏極(5)的上部及勢壘層(3)上的其它區域淀積絕緣介質層(6)；在絕緣介質層(6)上制作掩膜，并在源極和漏極之間的絕緣介質層上淀積金屬，制作絕緣柵極(7)；

分別在絕緣柵極(7)的上部及絕緣介質層(6)上的其它區域淀積鈍化層(8)；

在鈍化層(8)上制作掩膜，利用該掩膜在源極與漏極之間的鈍化層上淀積金屬，以制作厚度均為0.15～9μm的源場板(9)及n個浮空場板(10)，n≥1，相鄰兩浮空場板之間的間距按照浮空場板排列自源場板到漏極方向的個數依次遞增，并以源場板與其最鄰近的浮空場板之間的距離為起始點，該距離為0.05～3μm，將源場板與源極電氣連接；

淀積保護層(11)，即用絕緣介質材料分別覆蓋源場板(9)及各浮空場板(10)的外圍區域。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于源場板(9)及n個浮空場板(10)可采用三層金屬組合Ti/Mo/Au或Ti/Ni/Au或Ti/Pt/Au，厚度均為0.03～0.2μm/0.05～0.8μm/0.07～8.0μm。