[發(fā)明專利]一種復雜形狀碳化硅的熔模成型方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810231978.3 | 申請日: | 2008-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN101397209A | 公開(公告)日: | 2009-04-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 喬冠軍;徐順建;李杰;李滌塵;高積強;王紅潔;楊建鋒;王繼平 | 申請(專利權)人: | 西安交通大學 |
| 主分類號: | C04B35/565 | 分類號: | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 | 代理人: | 張震國 |
| 地址: | 710049*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 復雜 形狀 碳化硅 成型 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種難加陶瓷制件的成型工藝,特別涉及一種復雜形狀碳 化硅的熔模成型方法。
背景技術
碳化硅陶瓷是一種具有良好綜合性能的材料。碳化硅陶瓷具有密度 小,熱導率高,熱膨脹系數低,抗熱震性好,抗氧化性好,高溫強度大, 耐腐蝕等特點,已在眾多工業(yè)領域得以應用。例如在航天航空工業(yè)用于制 備火箭發(fā)動機燃燒室內壁、噴嘴及鼻錐;在汽車工業(yè)用于制備渦輪增壓器 轉子。然而,形狀復雜、凈成型的碳化硅的制備一直是制約碳化硅陶瓷推 廣應用的關鍵技術。美國專利(3859421,1975)首次提出以糠醇樹脂為碳 質原料制備出多孔碳胚體,隨后對胚體進行機加工得到具有碳化硅制件幾 何形狀的胚體。因胚體滲硅前后幾何尺寸基本不變,胚體滲硅后即制得設 計形狀的碳化硅制件。但是,采用可機加工賦予多孔胚體一定的幾何形狀 在一定程度上限制了該工藝的復雜成型能力。中國專利(CN1609054A) 公開了以光敏樹脂為碳質原料,結合光固化快速成型技術,制得復雜形狀 的碳化硅制件。因采用了快速成型技術,其復雜成型能力得以提高。但是 這種方法存在一定的局限性,既光敏樹脂的價格較高以及殘?zhí)悸瘦^低,不 利于工業(yè)化生產。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種由模具控制碳化硅制件的幾何形狀,具有 無需脫模、模具材料可重復利用、低成本、一次性成型的復雜形狀碳化硅 的熔模成型方法。
為達到上述目的,本發(fā)明采用的技術方案是:
1)固化成型:根據碳化硅制件外形制做石蠟陰模,然后按1:0.33~ 1:3重量比將乙二醇和淀粉混合均勻制成孔形成劑;再按1:1~1:3的重量 比將2130#熱固性酚醛樹脂和孔形成劑混合攪拌均勻,隨后加入酚醛樹脂 和乙二醇總重量4~10%的苯磺酰氯混合均勻制成酚醛樹脂混合物,將酚醛 樹脂混和物澆注到石蠟陰模中,室溫下擱置使該混合物固化成型得到試 樣;
2)深固化:將固化成型的試樣在初始溫度為60℃升溫至100~180℃ 保溫8h,升溫速率為20℃/12h,同時回收熔解石蠟;
3)碳化:在N2氣保護下進行碳化,由室溫升至700~1000℃保溫1h, 升溫速率為50℃/h,完成保溫后隨爐冷卻至300℃以下停止供N2,制成多 孔碳質胚體;
4)滲硅:在坩堝中放入工業(yè)硅粒,將多孔碳質胚體平置于硅粒上, 然后將坩堝放入真空爐,抽真空并以8℃/min升溫速度加熱到1000℃后停 止抽真空,隨后以同樣的升溫速度繼續(xù)加熱至1450~1550℃,保溫30~. 120min;
4)排硅:保溫后再次抽真空,并升溫至1650℃,保溫10~30min, 冷卻后即制得設計形狀的碳化硅制件。
本發(fā)明以成品酚醛樹脂即2130#熱固性酚醛樹脂(西安樹脂廠生產) 為碳質原料,以可回收使用的石蠟為模具,先根據制件實際要求設計并加 工模具,把酚醛樹脂混合物澆注到模具中,通過固化成型、深固化、碳化 得到孔結構可調控的多孔碳胚體,進一步滲硅制備出形狀復雜的碳化硅制 件。實現由模具控制碳化硅制件的幾何形狀,而模具本身則可以在深固化 過程中因熔解自行去除并加以回收。
具體實施方式
實施例1:固化成型:根據碳化硅制件外形制做石蠟陰模,然后按1:2 重量比將乙二醇和淀粉混合均勻制成孔形成劑;再按1:1的重量比將 2130#熱固性酚醛樹脂和孔形成劑混合攪拌均勻,隨后加入酚醛樹脂和乙 二醇總重量8%的苯磺酰氯混合均勻制成酚醛樹脂混合物,將酚醛樹脂混和 物澆注到石蠟陰模中,室溫下擱置使該混合物固化成型得到試樣;深固化: 將固化成型的試樣在初始溫度為60℃升溫至150℃,升溫速率為20℃ /12h,同時回收熔解石蠟;碳化:在N2氣保護下進行碳化,由室溫升至900 ℃保溫1h,升溫速率為50℃/h,完成保溫后隨爐冷卻至300℃以下停止供 N2,制成多孔碳質胚體;滲硅:在坩堝中放入工業(yè)硅粒,將多孔碳質胚體 平置于硅粒上,然后將坩堝放入真空爐,抽真空并以8℃/min升溫速度加 熱到1000℃后停止抽真空,隨后以同樣的升溫速度繼續(xù)加熱至1500℃, 保溫70min;排硅:保溫后再次抽真空,并升溫至1650℃,保溫10~30min, 冷卻后即制得設計形狀的碳化硅制件。
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