[發(fā)明專利]寬輸入CMOS帶隙基準(zhǔn)電路結(jié)構(gòu)無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810231711.4 | 申請(qǐng)日: | 2008-10-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101414197A | 公開(公告)日: | 2009-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊媛;高勇;宋征華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G05F3/24 | 分類號(hào): | G05F3/24 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務(wù)所 | 代理人: | 羅 笛 |
| 地址: | 710048*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 輸入 cmos 基準(zhǔn) 電路 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于微電子學(xué)與固體電子學(xué)技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種集成電路的電壓基準(zhǔn)源電路,具體涉及一種寬輸入CMOS帶隙基準(zhǔn)電路結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
電壓基準(zhǔn)源廣泛應(yīng)用于模擬電路及數(shù)?;旌想娐分小;鶞?zhǔn)源的性能指標(biāo)隨著電路系統(tǒng)復(fù)雜程度的增加及芯片功能的增強(qiáng),對(duì)電壓基準(zhǔn)源的輸入范圍要求變寬。同時(shí),由于CMOS技術(shù)成為集成電路的主流技術(shù),與傳統(tǒng)雙極型電路相比,CMOS電壓基準(zhǔn)源電路在成本和開發(fā)周期上具有顯著優(yōu)勢(shì)。現(xiàn)有寬輸入電壓基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)思路為采用電流級(jí)聯(lián)方式實(shí)現(xiàn),但這種方式只適用于雙極型電路,無法用在CMOS集成電路中,因此設(shè)計(jì)出輸入電壓能夠覆蓋幾乎所有小功率設(shè)備中直流電壓輸入范圍,工藝與CMOS工藝相兼容的高性能電壓基準(zhǔn)具有重要的意義。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種寬輸入CMOS帶隙基準(zhǔn)電路結(jié)構(gòu),解決了現(xiàn)有CMOS集成電路中電壓基準(zhǔn)源的寬輸入范圍的問題。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是,寬輸入CMOS帶隙基準(zhǔn)電路結(jié)構(gòu),包括第一級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路和第二級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路,第一級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路的輸入端連接輸入電壓Vdd,第一級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路的輸出端電壓Vout1連接第二級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路的輸入端輸入電壓Vdd1,第二級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路的輸出端輸出電壓Vout,第一級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路和第二級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路之間采用電壓互連的方式連接。
本發(fā)明的特征還在于:
其中的第一級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路由2個(gè)電阻R1、R2,3個(gè)PMOS晶體管MP1、MP2、MP3,2個(gè)NMOS晶體管MN1、MN2以及與CMOS工藝兼容的2個(gè)雙極晶體管Q1、Q2,以及晶體管Q3構(gòu)成,從輸入電壓Vdd到地的3個(gè)回路中分別為MP1、MN1、Q1順序串聯(lián),MP2、MN2、R1、Q2順序串聯(lián),MP3、R2、Q3順序串聯(lián),第一級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路的輸出端Vout1位于MP3和R2之間。
其中的晶體管Q3由4個(gè)基級(jí)-發(fā)射級(jí)相連的PNP管組成。
其中的第二級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路由運(yùn)算放大器AMP,2個(gè)電阻R3、R4,4個(gè)PMOS晶體管MP4、MP5、MP6、MP7,4個(gè)NMOS晶體管MN3、MN4、MN5、MN6以及與CMOS工藝兼容的4個(gè)雙極晶體管Q4、Q5、Q6、Q7構(gòu)成,從輸入電壓Vdd1到地的4個(gè)回路中分別為MP4、MN3、R5、Q4順序串聯(lián),MP5、MN4、R3、Q5順序串聯(lián),MP6、MN5、R4、Q6順序串聯(lián),MP7、MN6、Q7順序串聯(lián),運(yùn)算放大器的正、負(fù)輸入端分別為Q4和Q7的射極即X點(diǎn)和Y點(diǎn),輸出端連接4個(gè)PMOS晶體管的柵極。
本發(fā)明的有益效果是采用電壓級(jí)聯(lián)方式的兩級(jí)結(jié)構(gòu),在提供電壓寬輸入范圍的同時(shí),不損失電路的電源抑制比、溫度系數(shù)其它性能指標(biāo),同時(shí)與CMOS工藝兼容,可應(yīng)用于主流CMOS電路系統(tǒng)中。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的電路結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明的電路中第一級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路的結(jié)構(gòu)圖;
圖3是本發(fā)明的電路中第一級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路中晶體管Q3的結(jié)構(gòu)圖;
圖4是本發(fā)明的電路中第二級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路的結(jié)構(gòu)圖;
圖5是本發(fā)明的電路輸出端電壓隨溫度變化的仿真曲線;
圖6是本發(fā)明的電路輸出端電壓隨電源電壓的變化曲線;
圖7是本發(fā)明的電路工作在1.8V電源電壓下沒有濾波電容的電源抑制比PSRR。
圖中,1.第一級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路,2.第二級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
如圖1所示,本發(fā)明的電路結(jié)構(gòu)由第一級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路1和第二級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路2構(gòu)成,第一級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路1和第二級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路2之間采用電壓互連的方式連接。第一級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路1的輸入端由輸入電壓Vdd供電,輸出端輸出3.0V的輸出電壓Vout1。將第一級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路1的輸出電壓Vout1作為第二級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路2的電源Vdd1,電源Vdd1為第二級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路2供電,第二級(jí)帶隙基準(zhǔn)電路2輸出電壓為Vout。
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