[發明專利]MgZnO基光電導型紫外探測器的制作方法無效
| 申請號： | 200810231659.2 | 申請日： | 2008-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN101425553A | 公開（公告）日： | 2009-05-06 |
| 發明（設計）人： | 趙莉 | 申請（專利權）人： | 彩虹集團公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 | 代理人： | 朱海臨 |
| 地址： | 71202*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mgzno 電導 紫外 探測器 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種MgZnO基光電導型紫外探測器的制作方法，其特征在于，包括下述步驟：
步驟一：對玻璃基底進行清洗；
步驟二：在無基底溫度的情況下，在玻璃基底上濺射厚度為200—800nm的MgZnO合金薄膜層；
步驟三：在常壓下，于空氣中對濺射MgZnO合金薄膜層的玻璃基底進行退火處理；退火溫度為250℃-450℃，退火時間2h；
步驟四：利用真空蒸發方法在退火后的MgZnO合金薄膜上鍍100--300nm的A1叉指狀電極。
2.根據權利要求1所述的MgZnO基光電導型紫外探測器的制作方法，其特征在于，所述步驟一中對玻璃基底進行清洗，清洗液采用濃硫酸和雙氧水，以體積百分比7：3的比例混合后煮沸，然后用去離子水沖洗，再使用丙酮、酒精和去離子水各超聲清洗15—30min。
3.根據權利要求1所述的MgZnO基光電導型紫外探測器的制作方法，其特征在于，所述步驟二中的濺射工藝參數為：濺射功率為300W，本底真空為1.4×10-3Pa，濺射壓強為0.5—1Pa。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
