[發明專利]校正等離子體發射譜線自吸收效應的方法

有效

• 申請號: 200810229661.6
• 申請日: 2008-12-12
• 公開（公告）號: CN101750404A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發明（設計）人: 于海斌;孫蘭香;楊志家;郭前進;辛勇;叢智博
• 申請（專利權）人: 中國科學院沈陽自動化研究所
• 主分類號: G01N21/73
• 分類號: G01N21/73
• 代理公司: 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002
• 代理人: 許宗富

1.一種校正等離子體發射譜線自吸收效應的方法，其特征在于：基 于內參考線，通過計算譜線自吸收校正系數得校正后的等離子體發射譜 線強度，具體步驟如下：

步驟1)在被分析元素的等離子體發射譜線中選擇自吸收效應可以 被忽略的一條譜線作為內參考線，其自吸收校正系數值為1；

步驟2)計算所有被分析元素的等離子體溫度T；

步驟3)通過自吸收校正系數的計算公式計算分析線的譜線的自吸 收校正系數；

所述分析線的譜線自吸收校正系數計算公式為：

其中：定義為波長λ處的自吸收校正系數，值在0和1之間， 0代表譜線完全被自吸收，1代表譜線不存在自吸收；R代表內參考線， m和n代表內參考線的躍遷能級層；i和j代表分析線的躍遷能級層；和分別代表分析線與內參考線的譜線強度；A_ij和A_mn分別代表分析線 與內參考線的自然躍遷概率；g_i和g_m分別代表分析線與內參考線的統計 權重；E_i和E_m分別代表分析線與內參考線的上層激發能級；k_B是玻爾茲 曼常數，T是等離子體溫度；

步驟4)根據分析線的譜線自吸收校正系數來校正分析線的譜線強 度，采用如下強度校正公式：

I^λij=Iλij/fλb;]]>

其中：為校正后的分析線的譜線強度；

步驟5)重復步驟2)、3)、4)，循環校正譜線強度，當分析線的自 吸收校正系數達到設定精度時，獲得最終校正后的等離子體發射譜線強 度，至此完成等離子體發射譜線自吸收效應的校正過程。

2.根據權利要求1所述校正等離子體發射譜線自吸收效應的方法， 其特征在于：所述步驟1)中的內參考線具有高激發能級或低躍遷概率， 其自吸收效應可以被忽略1。

3.根據權利要求1所述校正等離子體發射譜線自吸收效應的方法， 其特征在于：所述等離子體為光學厚等離子體。