[發明專利]一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置

無效

• 申請號: 200810228439.4
• 申請日: 2008-10-31
• 公開（公告）號: CN101401752A
• 公開（公告）日: 2009-04-08
• 發明（設計）人: 項士海;康雁
• 申請（專利權）人: 東北大學
• 主分類號: A61F2/84
• 分類號: A61F2/84
• 代理公司: 沈陽東大專利代理有限公司
• 代理人: 梁 焱

1.一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于該裝置包括形狀記憶合金支架相變能量提供裝置、能量供應裝置的控制系統和具有記憶效應的形狀記憶合金支架。

2.根據權利要求1所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的形狀記憶合金支架相變能量提供裝置，采用體外交變電磁場發生裝置、具有連續發射表面的表面磨砂激光光纖及激光器或體外電源及與其相連的微細傳輸線。

3.根據權利要求1所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的具有記憶效應的形狀記憶合金支架采用含鈦Ti0～50％WT?Ni0～50％WT的鎳鈦基形狀記憶合金；含鐵Fe?0～90％WT的鐵基形狀記憶合金或含銅Cu?0～90％WT的銅基形狀記憶合金；所述的具有記憶效應的形狀記憶合金支架的結構形式采用螺旋型或管網型。

4.根據權利要求1所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的具有記憶效應的形狀記憶合金支架具有單程或雙程記憶效應；單程記憶過程在20～40℃溫度下利用球囊將具有記憶效應的形狀記憶合金支架從壓縮狀態擴張，在40～80℃高溫下恢復至緊縮狀態；雙程記憶效應在血液溫度37～40℃下擴張，在40～80℃高溫下恢復至緊縮狀態。

5.根據權利要求2所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的體外交變電磁場發生裝置通過定向發射電磁波，激發具有記憶效應的形狀記憶合金支架內部產生渦流，溫度上升至相變溫度，觸發具有記憶相應的記憶合金支架的記憶效應，使具有記憶效應的形狀記憶合金支架收縮。

6.根據權利要求2所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的具有連續發射表面的磨砂激光光纖通過導管導入具有記憶效應的形狀記憶合金支架內部，激光從磨砂表面發射，被具有記憶效應的形狀記憶合金支架吸收，溫度上升后觸發具有記憶效應的形狀記憶合金支架的記憶效應，使具有記憶效應的形狀記憶合金支架收縮。

7.根據權利要求2所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的體外電源及與其相連的微細傳輸線與具有記憶效應的形狀記憶合金支架相連，電路接通后使具有記憶效應的形狀記憶合金支架發熱，觸發具有記憶效應的形狀記憶合金支架的記憶效應，使具有記憶效應的形狀記憶合金支架收縮。

8.根據權利要求2所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的體外交變電磁場發生裝置，其交變電磁場頻率為0～10GHZ，磁場強度為0～10T，交變電磁場持續時間為0～10h，通過軟件操作界面或控制面板按鍵輸入指令調節磁場頻率和磁場強度。

9.根據權利要求6所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的具有連續發射表面的表面磨砂激光光纖及激光器，具有連續發射表面的磨砂激光光纖的直徑為0～20mm，表面磨砂的連續激光發射表面長度0～200mm，激光光纖能量傳輸范圍為0～1000W，激光器采用氣體激光器、固體激光器或半導體激光器。

10.根據權利要求7所述的一種血管或非血管腔道金屬支架取出裝置，其特征在于所述的體外電源及與其相連的微細傳輸線，體外電源為0～1KV的外部交流或直流電源，微細傳輸線直徑為0～5mm。