[發明專利]一種用于實現零極點型高階濾波器的混合積分器雙二階單元

有效

• 申請號: 200810227129.0
• 申請日: 2008-11-21
• 公開（公告）號: CN101425793A
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發明（設計）人: 陳勇;周玉梅
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H03H11/04
• 分類號: H03H11/04;H03H11/12
• 代理公司: 北京市德權律師事務所
• 代理人: 王建國

1.一種用于實現零極點型高階濾波器的混合積分器雙二階單元，其特征在于，包括：

一第一級跨導-電容積分器，包括兩個PMOS晶體管和一個電容，用于接收輸入電壓信號轉換成電流信號，給電容充電，形成第一級積分器；

一第二級基于源極跟隨器積分器，包括兩個PMOS晶體管和一個電容，用于將第一級積分器輸出的電壓信號轉換成電流信號，給電容充電，形成第二級積分器；

一反饋晶體管，包括兩個NMOS晶體管，用于與所述第一級積分器和第二級積分器一起綜合復數極點，并控制輸出共模電壓；

一電流源，用于提供所述雙二階單元的支路電流；

一同相前饋電容元件，包括兩個電容，用于確定混合積分器雙二階單元的復數共軛零點特性；

所述第一級跨導-電容積分器具體包括：

第一PMOS管，該管的柵極接第一輸入端，漏極標記為net1，源極與襯底相連，標記為net3；

第二PMOS管，該管的柵極接第二輸入端，漏極標記為net2，源極與襯底接net3；

第一電容，一端接net1，另一端接net2，電容值為C1/2；

所述第二級基于源極跟隨器積分器具體包括：

第三PMOS管，該管的柵極接net1，漏極接地電壓，源極和襯底接第一輸出端；

第四PMOS管，該管的柵極接net2，漏極接地電壓，源極和襯底接第二輸出端；

第二電容，一端接第一輸出端，另一端接第二輸出端，電容值為C2/2；

所述反饋晶體管具體包括：

第一NMOS管，該管的柵極接第一輸出端，漏極接net1，源極和襯底接地電壓；

第二NMOS管，該管的柵極接第二輸出端，漏極接net2，源極和襯底接地電壓；

所述電流源包括：

第一電流源，正端接電源電壓，負端接net3；

第二電流源，正端接電源電壓，負端接第一輸出端；

第三電流源，正端接電源電壓，負端接第二輸出端；

所述同相前饋電容元件包括：

第三電容，一端接第一輸入端，另一端接第二輸出端，電容值為C3；

第四電容，一端接第二輸入端，另一端接第一輸出端，電容值為C4。

2.根據權利要求1所述的雙二階單元，其特征在于，所述同相前饋電容元件用于確定該雙二階單元傳輸函數中復數共軛零點，能夠實現零極點型低通濾波器。

3.根據權利要求1所述的雙二階單元，其特征在于，所述反饋晶體管與第二級基于源極跟隨器積分器中的源極跟隨器形成負反饋環，與該積分器中的電容一起確定了該雙二階單元傳輸函數中復數極點。

4.根據權利要求1所述的雙二階單元，其特征在于，所述雙二階單元的輸入直流工作電壓與輸出直流工作電壓相同。

5.根據權利要求1所述的雙二階單元，其特征在于，在所述第一級跨導-電容積分器的輸入晶體管的跨導值大于所述反饋晶體管的跨導值，該雙二階單元具有大于0dB的直流增益。

6.根據權利要求1所述的雙二階單元，其特征在于，第一級間差分電容的值為C1/2，第二級間差分電容的值為C2/2。