[發明專利]一種生長AlInN單晶外延膜的方法無效
| 申請號： | 200810225783.8 | 申請日： | 2008-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN101736398A | 公開（公告）日： | 2010-06-16 |
| 發明（設計）人： | 盧國軍;朱建軍;趙德剛;劉宗順;張書明;楊輝 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | C30B25/02 | 分類號： | C30B25/02;C30B29/38 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 生長 alinn 外延 方法 | ||
1.一種生長AlInN單晶外延膜的方法，其特征在于，包括如下步驟：
選擇一襯底；
將襯底放入金屬有機物化學氣相沉積系統內，升溫至生長溫度，同時通入三甲基銦TMIn、三甲基鋁TMAl、氨氣NH3，氮氣N2和適量氫氣H2，生長出AlInN單晶外延膜。
2.根據權利要求1所述的生長AlInN單晶外延膜的方法，其特征在于，所述襯底為藍寶石、GaN、AlN、Si、SiC和GaAs中任一種或至少兩種構成的復合襯底。
3.根據權利要求1所述的生長AlInN單晶外延膜的方法，其特征在于，所述AlInN外延膜的生長溫度為720至860℃，壓力為20至160Torr。
4.根據權利要求1所述的生長AlInN單晶外延膜的方法，其特征在于，在氣相中所述三甲基銦TMIn與三甲基鋁TMAl的摩爾流量比為1至8。
5.根據權利要求1所述的生長AlInN單晶外延膜的方法，其特征在于，所述適量氫氣H2和氮氣N2作為載氣，二者的摩爾比為0至0.6。
6.根據權利要求1所述的生長AlInN單晶外延膜的方法，其特征在于，所述通入三甲基銦TMIn的速率為5～50μmol/min，通入三甲基鋁TMAl的速率為5～10μmol/min，通入氨氣NH3的速率為3.5～7slm。
7.根據權利要求l所述的生長AlInN單晶外延膜的方法，其特征在于，該方法在生長出AlInN單晶外延膜后進一步包括：
以氮氣和適量氫氣作為保護氣體退火至300℃。
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