[發(fā)明專利]雙鑲嵌結構的形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810225759.4 | 申請日： | 2008-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN101740476A | 公開（公告）日： | 2010-06-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 孫武;尹曉明;沈滿華 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人： | 董立閩;李麗 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鑲嵌 結構 形成 方法 | ||
1.一種雙鑲嵌結構的形成方法，其特征在于，包括步驟：
提供表面具有導電結構的襯底；
在所述襯底上形成第一介質層；
在所述第一介質層上形成通孔圖形；
以所述通孔圖形為掩膜進行第一刻蝕，在所述第一介質層內(nèi)形成通 孔開口；
在已形成通孔開口的所述襯底上覆蓋第二介質層，且其厚度至少填 滿所述通孔開口；
對所述第二介質層進行第二刻蝕，至襯底上所述通孔開口以外的區(qū) 域曝露出所述第一介質層；
在進行第二刻蝕后的所述襯底上形成第三介質層；
在所述第三介質層上形成溝槽圖形；
以所述溝槽圖形為掩膜進行第三刻蝕，刻蝕第三介質層及部分第二 介質層和第一介質層，形成溝槽，且所述溝槽下方至少有一個所述通孔 開口；
去除形成溝槽后的所述襯底上殘留的所述第二介質層和第三介質 層；
在所述通孔開口和溝槽內(nèi)填充金屬，形成雙鑲嵌結構。
2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述第二刻蝕的 腔室壓力在150至250mTorr之間。
3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述第二刻蝕的 功率在20至100W之間。
4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述第二介質層 利用旋涂方法形成。
5.如權利要求4所述的形成方法，其特征在于：所述第二介質層 為DUO材料。
6.如權利要求4所述的形成方法，其特征在于：所述第二介質層 的厚度在3000至之間。
7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述第三介質層 與第二介質層所用材料相同。
8.如權利要求1或7所述的形成方法，其特征在于：所述第三介 質層的厚度在3000至之間。
9.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述導電結構由 金屬銅形成。
10.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述第一介質層 由黑鉆石材料形成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
