[發明專利]等離子體預清洗方法無效
| 申請號： | 200810224584.5 | 申請日： | 2008-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN101724843A | 公開（公告）日： | 2010-06-09 |
| 發明（設計）人： | 聶佳相 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號： | C23F4/00 | 分類號： | C23F4/00;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李麗 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 清洗 方法 | ||
1.一種等離子體預清洗方法，包括，
對基底執行除氣操作，經歷所述除氣操作的基底的溫度為T1；
對經歷所述除氣操作的基底執行等離子體刻蝕操作，執行所述等離子體刻蝕操作的反應腔室的溫度為T2，T2小于T1；
其特征在于，執行所述等離子體刻蝕操作的步驟包括：
對經歷所述除氣操作的基底執行降溫操作；
對經歷所述降溫操作的基底執行等離子體刻蝕操作。
2.根據權利要求1所述的等離子體預清洗方法，其特征在于：執行所述降溫操作及等離子體刻蝕操作的步驟在同一反應腔室內進行。
3.根據權利要求2所述的等離子體預清洗方法，其特征在于：采用將經歷所述除氣操作的基底在執行所述等離子體刻蝕操作的反應腔室中空置預定時間的方式執行所述降溫操作。
4.根據權利要求3所述的等離子體預清洗方法，其特征在于：所述預定時間為10秒-30秒。
5.根據權利要求4所述的等離子體預清洗方法，其特征在于：執行所述降溫操作時，所述反應腔室中包含Ar。
6.根據權利要求5所述的等離子體預清洗方法，其特征在于：Ar的流速為50sccm-200sccm。
7.根據權利要求1所述的等離子體預清洗方法，其特征在于：執行所述等離子體刻蝕操作時的反應溫度為室溫。
8.根據權利要求7所述的等離子體預清洗方法，其特征在于：經歷所述降溫操作的基底的溫度等于或小于室溫。
9.根據權利要求8所述的等離子體預清洗方法，其特征在于：經歷所述除氣操作的基底在執行所述降溫操作的過程中降低的溫度大于或等于T2-T1。
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