[發(fā)明專利]提高有機電致發(fā)光器件頂發(fā)射出光效率的方法及相應(yīng)器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810223048.3 | 申請日: | 2008-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN101369639A | 公開(公告)日: | 2009-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳志堅;王紫瑤;肖立新;龔旗煌 | 申請(專利權(quán))人: | 北京大學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京君尚知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人: | 李稚婷 |
| 地址: | 100871北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 提高 有機 電致發(fā)光 器件 射出 效率 方法 相應(yīng) | ||
1.一種提高有機電致發(fā)光器件頂發(fā)射出光效率的方法,在平板層狀結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光器件中利用單層或多層金屬作為頂發(fā)射電極,然后在其上真空蒸鍍或涂覆一層室溫下呈固態(tài)的小分子芳香族化合物,直接利用小分子芳香族化合物的自團(tuán)聚效應(yīng)形成一層具有納微結(jié)構(gòu)的膜,從而將被束縛在金屬頂發(fā)射電極介面的表面等離激元波散射為自由光場,實現(xiàn)頂發(fā)射出光的增強。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:所述有機電致發(fā)光器件為有機小分子電致發(fā)光器件。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述頂發(fā)射電極的厚度為20~60nm,所用金屬選自金、銀、鋁中的一種或多種。
4.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述小分子芳香族化合物為萘、蒽、芘或BCP。
5.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于:在頂發(fā)射電極上真空蒸鍍或涂覆小分子芳香族化合物形成厚度為20nm~40nm的無定形膜,再自團(tuán)聚形成具有納微結(jié)構(gòu)的膜。
6.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于:形成具有納微結(jié)構(gòu)的膜的具體方法是在頂發(fā)射電極上真空蒸鍍一層室溫下呈固態(tài)的小分子芳香族化合物,然后將器件在真空中室溫下靜置3小時或3小時以上。
7.一種頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件,為平板層狀結(jié)構(gòu),頂發(fā)射電極為單層或多層金屬,其特征在于:在頂發(fā)射電極上還具有一層由小分子芳香族化合物自團(tuán)聚形成的具有納微結(jié)構(gòu)的膜。
8.如權(quán)利要求7所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件,其特征在于:所述有機電致發(fā)光器件為有機小分子電致發(fā)光器件。
9.如權(quán)利要求7或8所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件,其特征在于:所述頂發(fā)射電極的厚度為20~60nm,所述金屬選自金、銀、鋁中的一種或多種。
10.如權(quán)利要求7或8所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件,其特征在于:所述小分子芳香族化合物為萘、蒽、芘或BCP,所述具有納微結(jié)構(gòu)的膜的平均厚度為20nm~40nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





