[發(fā)明專利]一種采用X射線曝光制作聲表面波器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810222328.2
• 申請日: 2008-09-17
• 公開（公告）號: CN101677231A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙以貴;李晶晶;朱效立;牛潔斌;劉明
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H03H3/08
• 分類號: H03H3/08
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 周國城

1.一種采用X射線曝光制作聲表面波器件的方法，其特征在于，該 方法是利用電子束光刻在鏤空的聚酰亞胺自支撐薄膜上制作叉指換能器 的母版，再利用X射線曝光在壓電襯底上獲得叉指換能器的電子抗蝕劑凹 立圖形，然后再用剝離工藝制作各種聲表面波器件，該方法具體包括以下 步驟：

1)、制備鏤空的聚酰亞胺自支撐薄膜；

2)、生長微電鍍的種子層；

3)、旋涂電子抗蝕劑；

4)、電子束直寫曝光；

5)、顯影、定影，得到叉指換能器的圖形；

6)、在得到的叉指換能器的圖形區(qū)域微電鍍金；

7)、去除電子抗蝕劑，完成母版的制作；

8)、在壓電襯底上涂敷電子抗蝕劑；

9)、用制備好的母版對壓電襯底上的電子抗蝕劑進(jìn)行X射線曝光；

10)、顯影、定影；

11)、生長叉指換能器電極金屬；

12)、剝離，將叉指換能器電極圖形從抗蝕劑上轉(zhuǎn)移到壓電襯底上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用X射線曝光制作聲表面波器件的方法， 其特征在于，其中步驟1)中所述制備鏤空的聚酰亞胺自支撐薄膜，是在 雙面拋光的100面硅片上單面旋涂2μm厚的聚酰亞胺，并在熱板上烘烤， 待冷卻后裝入特殊制作的卡具，放入由氫氟酸、硝酸和醋酸混合而成的各 向同性腐蝕液中對硅片進(jìn)行腐蝕，得到鏤空的聚酰亞胺自支撐薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用X射線曝光制作聲表面波器件的方法， 其特征在于，其中步驟2)中所述生長微電鍍的種子層，是在聚酰亞胺薄 膜上采用電子束蒸發(fā)方法先后蒸發(fā)5nm的鉻和10nm的金，作為微電鍍的 種子層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用X射線曝光制作聲表面波器件的方法， 其特征在于，其中步驟3)中所述電子抗蝕劑為ZEP520正性抗蝕劑、PMMA 正性抗蝕劑、SAL601負(fù)性抗蝕劑、HSQ負(fù)性抗蝕劑或Calixarene負(fù)性抗 蝕劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用X射線曝光制作聲表面波器件的方法， 其特征在于，其中步驟4)中所述電子束直寫曝光，采用JEOL?JBX-5000LS 電子束光刻系統(tǒng)，加速電壓為50KeV，電子束流小于500pA。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用X射線曝光制作聲表面波器件的方法， 其特征在于，其中步驟6)中所述在得到的叉指換能器的圖形區(qū)域微電鍍 金，是將襯底裝好放入亞硫酸鹽金電鍍液，電鍍后的金吸收體厚度為 400nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用X射線曝光制作聲表面波器件的方法， 其特征在于，其中步驟8)中所述壓電襯底為平整、潔凈的壓電單晶襯底 或壓電薄膜襯底。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的采用X射線曝光制作聲表面波器件的方法， 其特征在于，所述壓電單晶襯底為石英、LiNbO₃、LiTaO₃、Li₂B₄O₇或 La₃Ga₅SiO₁₄，所述壓電薄膜襯底為ZnO、AlN或GaN。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用X射線曝光制作聲表面波器件的方法， 其特征在于，其中步驟8)中所述電子抗蝕劑為ZEP520正性抗蝕劑、PMMA 正性抗蝕劑、SAL601負(fù)性抗蝕劑、HSQ負(fù)性抗蝕劑或Calixarene負(fù)性抗 蝕劑。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用X射線曝光制作聲表面波器件的方法， 其特征在于，其中步驟9)中所述的X射線曝光是將掩膜和襯底安裝在曝 光卡具上，放入真空曝光腔室，使曝光圖形區(qū)位于X射線掃描束的中心。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用X射線曝光制作聲表面波器件的方法， 其特征在于，其中步驟11)中所述叉指換能器電極金屬采用金屬材料Al、 Cu、Ti、Cr、Au、Ag或Pt。