[發明專利]基于負微分遷移率的平面納米電磁輻射器結構

無效

• 申請號: 200810219701.9
• 申請日: 2008-12-05
• 公開（公告）號: CN101431106A
• 公開（公告）日: 2009-05-13
• 發明（設計）人: 王鋼;宋愛民;許坤遠
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/772;H01L29/778;H01L29/739;H01L27/12;G01N23/00
• 代理公司: 廣州粵高專利代理有限公司
• 代理人: 禹小明

1.一種基于負微分遷移率的平面納米電磁輻射器結構，其由下往上依次包 括絕緣襯底、有源層及絕緣保護層，有源層的兩側還分別設有側面電極，其特 征在于：該有源層由具有負微分遷移率的材料制成，它包括位于有源層左右兩 端的低電阻區域、位于有源層中間的電場強度分布不均勻的高電阻區域，且兩 低電阻區域通過高電阻區域相連通。

2.根據權利要求1所述的基于負微分遷移率的平面納米電磁輻射器結構， 其特征在于：該高電阻區域的上下兩側分別設有絕緣區域，且每一絕緣區域的 整體幾何形狀關于有源層的中心線不對稱。

3.根據權利要求1所述的基于負微分遷移率的平面納米電磁輻射器結構， 其特征在于：該高電阻區域的上下兩側分別設有絕緣區域，且絕緣區域中存在 關于絕緣區域中心線不對稱的電荷分布。

4.根據權利要求2所述的基于負微分遷移率的平面納米電磁輻射器結構， 其特征在于：該絕緣區域呈L型。

5.根據權利要求3所述的基于負微分遷移率的平面納米電磁輻射器結構， 其特征在于：該絕緣區域內設有不與其它區域聯通的孤立區域。

6.根據權利要求3所述的基于負微分遷移率的平面納米電磁輻射器結構， 其特征在于：該絕緣區域上下兩端設有改變絕緣區域中電荷分布的電極。

7.根據權利要求2或3所述的基于負微分遷移率的平面納米電磁輻射器結 構，其特征在于：通過在絕緣保護層上制作平面納米電極，并加上偏壓的方式 改變有源層導電特性的空間分布形成。

8.根據權利要求2或3所述的基于負微分遷移率的平面納米電磁輻射器結 構，其特征在于：該絕緣區域通過在有源層上刻蝕納米絕緣溝槽形成。

9.根據權利要求8所述的基于負微分遷移率的平面納米電磁輻射器結構， 其特征在于：該絕緣溝槽中還填有不同介電常數的絕緣材料。

10.根據權利要求1所述的基于負微分遷移率的平面納米電磁輻射器結構， 其特征在于：該有源層由本征的In_0.53Ga_0.47As層和本征的In_0.53Al_0.47As層構成， 并在In_0.53Ga_0.47As層和In_0.53Al_0.47As層的界面上形成有二維電子氣層，該絕緣保 護層上還可設置一層金屬層。